[发明专利]研磨垫及其形成方法、研磨监测方法有效
申请号: | 201610297881.7 | 申请日: | 2016-05-06 |
公开(公告)号: | CN107344328B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 曹均助;刘洪涛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B24B37/11 | 分类号: | B24B37/11;B24B37/005;B24B37/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 及其 形成 方法 监测 | ||
1.一种研磨垫的形成方法,其特征在于,包括:
形成研磨层,所述研磨层具有相对的第三表面和第四表面,所述第四表面用于研磨待研磨面;
在形成研磨层的过程中形成阻挡层,所述阻挡层嵌在研磨层内,所述阻挡层与第四表面之间的距离大于零,所述阻挡层相对于待研磨面的摩擦系数大于或小于研磨层相对于待研磨面的摩擦系数,或者,所述阻挡层的反射率与研磨层的反射率不同,所述阻挡层适于根据阻挡层和研磨层之间摩擦系数的差别或反射率的差别给出更换研磨垫的信号,所述阻挡层的硬度小于所述研磨层的硬度;
形成研磨层和阻挡层的工艺为:
提供基质层;
提供阻挡材料层,所述阻挡材料层中具有多个分立的开口;
将阻挡材料层置于基质层上,所述开口朝向基质层;
将阻挡材料层置于基质层上后,在所述开口中形成第二研磨材料层;
去除高于第二研磨材料层顶部表面的阻挡材料层,形成阻挡层;
在第二研磨材料层和阻挡层的顶部表面形成第三研磨材料层,第三研磨材料层和第二研磨材料层构成研磨层,所述第四表面对应第三研磨材料层的顶部表面。
2.根据权利要求1所述的研磨垫的形成方法,其特征在于,还包括:在基质层上形成第一研磨材料层;将阻挡材料层置于基质层和第一研磨材料层上,所述开口朝向基质层和第一研磨材料层;第一研磨材料层、第二研磨材料层和第三研磨材料层构成研磨层。
3.根据权利要求1或2所述的研磨垫的形成方法,其特征在于,还包括:对所述研磨层进行表面处理,在研磨层中形成多个孔洞。
4.根据权利要求1或2所述的研磨垫的形成方法,其特征在于,还包括:在研磨层中形成凹槽,所述凹槽位于阻挡层之间。
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