[发明专利]瞬变电压抑制二极管的制备方法和瞬变电压抑制二极管

权利要求书

1.一种瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在N型衬底上形成P型外延层，以完成光电二极管的制备；

在所述P型外延层上形成隔离槽，以每个所述隔离槽划分所述光电二极管为两个光电二极管单元；

在所述光电二极管单元的P型外延层中，依次形成P型注入区域和N型注入区域，以形成与每个所述光电二极管串联连接的齐纳二极管；

在形成所述齐纳二极管的N型衬底上，形成正面金属电极和背面金属电极；

在所述P型外延层上形成隔离槽，以每个所述隔离槽划分所述光电二极管为两个光电二极管单元，具体包括以下步骤：

在所述P型外延层上形成氧化硅层；

对所述氧化硅层和所述P型外延层进行图形化刻蚀至刻穿为止，并继续刻蚀N型外延层至指定厚度，以形成隔离孔；

在所述隔离孔的内壁和底部通过离子扩散工艺，以形成N型扩散区；

对所述N型扩散区进行热氧化处理，通过所述热氧化处理形成的热氧化层填充所述隔离孔，以形成所述隔离槽。

2.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，在所述P型外延层上形成氧化硅层，具体包括以下步骤：

采用热氧化工艺对所述P型外延层进行处理，以形成氧化硅掩膜层。

3.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，在所述P型外延层上形成氧化硅层，具体包括以下步骤：

采用化学气相淀积工艺对所述P型外延层进行处理，以形成氧化硅掩膜层。

4.根据权利要求3所述的瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，对所述N型扩散区进行热氧化处理，通过所述热氧化处理形成的热氧化层填充所述隔离孔，以形成所述隔离槽，具体包括以下步骤：

采用温度范围为900～1000℃的热氧化工艺对所述N型扩散区进行热氧化处理，通过所述热氧化处理形成的热氧化层填充所述隔离孔，以形成所述隔离槽。

5.根据权利要求4所述的瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，在所述光电二极管单元的P型外延层中，依次形成P型注入区域和N型注入区域，以形成与每个所述光电二极管串联连接的齐纳二极管，具体包括以下步骤：

对所述P型外延层进行P型离子注入，所述P型离子注入的能量范围为40～100KeV，所述P型离子注入的剂量范围为10E15～10E20/cm2，以形成P型掺杂区；

对所述P型掺杂区进行退火处理，以形成所述P型注入区域；

对所述P型注入区域进行N型离子注入，所述N型离子注入的能量范围为40～100KeV，所述N型离子注入的剂量范围为10E15～10E20/cm2，以形成N型掺杂区；

对所述N型掺杂区进行退火处理，以形成所述N型注入区域，进而形成所述齐纳二极管。

6.根据权利要求4所述的瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，在所述光电二极管单元的P型外延层中，依次形成P型注入区域和N型注入区域，以形成与每个所述光电二极管串联连接的齐纳二极管，具体包括以下步骤：

对所述P型外延层进行P型离子注入，所述P型离子注入的能量范围为40～100KeV，所述P型离子注入的剂量范围为10E15～10E20/cm2，以形成P型掺杂区；

对所述P型掺杂区进行N型离子注入，所述N型离子注入的能量范围为40～100KeV，所述N型离子注入的剂量范围为10E15～10E20/cm2，以形成N型掺杂区；

对所述P型掺杂区和所述N型掺杂区进行退火处理，以同时形成所述P型注入区域和所述N型注入区域，进而形成所述齐纳二极管。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述齐纳二极管的N型衬底上，形成正面金属电极和背面金属电极，具体包括以下步骤：

在形成所述N型注入区域的N型衬底上，采用双面溅射工艺形成正面铝-硅-铜复合金属层和背面铝-硅-铜复合金属层，以分别作为所述正面金属电极和所述背面金属电极。