[发明专利]硅麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种硅麦克风，其特征在于，包括：

导电基底，设有背腔和与背腔相通的多个声孔；

导电振膜，弹性的悬覆在所有声孔之上、并与所述导电基底形成一绝缘间隙；

差分电极板，悬覆在所述导电振膜之上、并与所述导电振膜形成一绝缘间隙；

在所述导电基底、导电振膜和差分电极板均为导电介质，且均设置有用于输出基于导电振膜振动而变化的差分信号的金属电极；

其中，所述差分电极板和/或导电振膜上分布有孔隙。

2.根据权利要求1所述的硅麦克风，其特征在于，所述导电振膜的上下表面均凸设有绝缘的凸柱，所述凸柱防止导电振膜在振动时与导电基底或差分电极板相接触。

3.根据权利要求1或2所述的硅麦克风，其特征在于，所述差分电极板包括：导电层和绝缘层；对应的，所述差分电极板的导电层上也设有所述金属电极。

4.根据权利要求3所述的硅麦克风，其特征在于，所述差分电极板中的导电层位于绝缘层之上。

5.根据权利要求3所述的硅麦克风，其特征在于，所述差分电极板中的导电层为高掺杂多晶硅，所述差分电极板中的绝缘层为富硅氮化硅。

6.一种硅麦克风的制造方法，其特征在于，包括：

在预设区域分布有多个声孔的导电基底上生长第一绝缘层；

在声孔侧的所述第一绝缘层上固设导电层，并将所述导电层覆盖声孔所分 布的区域图案化，以得到导电振膜，其中，所述导电振膜边缘具有弹性图案；

在所述导电振膜上继续生长所述第一绝缘层；

在所述导电振膜上的第一绝缘层上固设又一导电层，并将所生长的导电层图案化，以得到差分电极板，其中，所述差分电极板和/或导电振膜在图案化时分布多个孔隙；

在所述导电基底背面的声孔区域刻蚀背腔；

利用刻蚀技术，去除所述声孔所在区域和预设的金属电极所在区域的第一绝缘层，并保留隔离所述导电振膜与导电基底之间、和所述导电振膜与差分电极板之间的第一绝缘层；

沉积金属层，并将除预设的导电基底、导电振膜和差分电极板上的电极位置之外的金属层予以去除。

7.根据权利要求6所述的硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述在声孔侧的所述第一绝缘层上固设导电层包括：

将下表面具有第一绝缘层的导电振膜基板键合至生长有所述第一绝缘层的导电基底上；将所述导电振膜基板进行研磨，以得到对应的导电层；

或者，将底部为第一绝缘层的SOI圆片压合在生长有所述第一绝缘层的导电基底上，其中，所述SOI圆片中埋设第二绝缘层，并且所述SOI圆片中的第一绝缘层和第二绝缘层之间夹有导电层；利用刻蚀技术去除导电层以上的各硅层，以暴露所述导电层。

8.根据权利要求6所述的硅麦克风的制造方法，其特征在于，在所述导电基底上继续生长所述第一绝缘层之前，还包括：

在带有空隙的导电振膜上生长第三绝缘层，并将除预设的凸柱位置之外的 所述第三绝缘层予以去除，以得到所述凸柱；其中，所述第一绝缘层与第三绝缘层采用不同绝缘材料。

9.根据权利要求6所述的硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述在导电振膜上的第一绝缘层上生长差分电极板包括：

在所述第一绝缘层上沉积第四绝缘层，再在所述第四绝缘层上沉积导电层，其中，所述第四绝缘层和之上的导电层构成所述差分电极板。