[发明专利]太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610302700.5 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107359135A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郭春妍;徐建星;彭红玲;倪海桥;汪韬;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 赫兹 天线 集成 器件 转移 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，其特征在于包括步骤：
(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；
(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；
(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；
(4)剥离所述阻挡层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半绝缘衬底和缓冲层的材料为GaAs。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为Al0.9Ga0.1As。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中各层采用分子束外延法制作。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述GaAs低温层制作时温度为200-500℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述键合为热压键合。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)具体为：首先使用含HNO3腐蚀液对半绝缘衬底和缓冲层进行快速剥离，然后使用含NH3的腐蚀液对半绝缘衬底和缓冲层继续剥离，最后采用含C3H8O7的腐蚀液进行慢速剥离。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)具体为：采用含HCl的溶液剥离所述阻挡层。
9.一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构，其特征在于包括：
聚合物衬底；
GaAs低温层，其键合在所述聚合物衬底上；
N型GaAs层，设置在所述GaAs低温层上。
10.一种太赫兹天线片上集成器件，其特征在于包括权利要求9所述的转移键合结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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