[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

纳米压印(Nano-imprintLithography，NIL)技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题，具有分辨率高、低成本、高产率的特点。自1995年提出以来，纳米压印已经演变出了多种压印技术，广泛应用于半导体制造、微机电系统(MicroelectromechanicalSystems，MEMS)、生物芯片、生物医学等领域。NIL技术的基本思想是通过模版，将图形转移到相应的衬底上，转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜，通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。根据压印方法的不同，NIL主要可分为热塑(Hotembossing)、紫外(UV)固化和微接触(Microcontactprinting，uCP)三种光刻技术。

对于需要使用偏光片的各类器件，例如LCD、OLED等，传统的偏光片是由多层膜组合而成的，其中最核心的部分是偏光层，通常为含有具有偏光作用的碘分子的聚乙烯醇(PVA)层，其次是分别位于偏光层两侧的保护层，通常为透明的三醋酸纤维素(TAC)层，主要是为了维持偏光层中偏光子的被拉伸状态，避免偏光子水分的流失，保护其不受外界影响，该偏光片通过二向碘分子的吸收作用来产生偏振光。

随着纳米压印技术的发展，人们已经可以通过制备金属光栅结构，来达到对可见光波长范围的光的偏振作用，由于金属光栅结构本身对光的吸收很小，通过反射自然光的一个偏振而让另外一个偏振通过，可以使被反射的光通过偏振旋转再次被回收利用，因此在液晶显示中具有很大的潜力。但是目前NIL技术受到模板尺寸的限制，大多无法与电视的显示面板的尺寸相匹配，为了制作21寸以上或更大的纳米压印型偏光片，需要制作巨大的模板或者采用小模板拼接的方式进行压印，前者耗费巨大且存在工艺的复杂和困难性，后者的拼接可能带来拼接不良和存在拼接缝隙的状况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板，通过多个线栅单元拼接形成大尺寸的线栅偏光片，并利用黑色矩阵遮挡线栅偏光片上线栅单元之间的拼接缝隙，降低拼接不良带来的影响。

本发明的目的还在于提供一种显示面板的制作方法，通过多个线栅单元拼接形成大尺寸的线栅偏光片，并利用黑色矩阵遮挡线栅偏光片上数个线栅单元之间的拼接缝隙，降低拼接不良带来的影响。

为实现上述目的，本发明首先提供一种显示面板，包括相对设置的上基板与下基板、线栅偏光片、及黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在上基板或下基板的一侧上，所述线栅偏光片设置在上基板或下基板的一侧上；所述线栅偏光片具有呈矩阵阵列方式拼接的数个线栅单元，所述线栅单元之间的拼接缝的正投影位于黑色矩阵内。

所述线栅单元由6-8寸的压印模板单元所形成。

所述线栅偏光片上的数个线栅单元由一个压印模板单元依次形成。

所述线栅偏光片上的数个线栅单元由数个压印模板单元拼接而成的拼接压印模板所同时形成。

所述黑色矩阵包括纵横交错的数个遮光条，所述线栅单元之间的拼接缝的正投影位于黑色矩阵的遮光条内，所述遮光条的宽度为20μm以上。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一待处理的面板，包括待压印的偏光片、相对设置的上基板与下基板、及黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在上基板或下基板的一侧上；

步骤2、提供压印模板单元，利用压印模板单元在待压印的偏光片上形成呈矩阵阵列方式拼接的数个线栅单元，得到线栅偏光片，其中，每一线栅单元由对应的一个压印模板单元所形成；

步骤3、得到显示面板，所述线栅偏光片设置在上基板或下基板的一侧上，所述线栅单元之间的拼接缝的正投影位于黑色矩阵内。

所述步骤2中提供一个压印模板单元，通过移动该压印模板单元，在待压印的偏光片上依次压印形成数个线栅单元。

所述步骤2中对应线栅偏光片上的数个线栅单元提供数个压印模板单元，并将其拼接成一个拼接压印模板，利用该拼接压印模板在待压印的偏光片上通过一次压印形成数个线栅单元。

所述步骤2提供的压印模板单元为6-8寸的压印模板单元。

所述黑色矩阵包括纵横交错的数个遮光条，所述线栅单元之间的拼接缝的正投影位于黑色矩阵的遮光条内，所述遮光条的宽度为20μm以上。