[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法及非易失性存储器

说明书

技术领域

本发明涉及存储设备硬件技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器的编程方法及非易失性存储器。

背景技术

非易失性存储器(Non-volatile Memory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。图1是现有非易失性存储器的一个简易结构图，由图1可知，该非易失性存储器由存储单元阵列11、字线选择单元12、位线选择单元13、电压泵14、以及控制单元15组成，其中，存储单元阵列11由多个存储单元块组成，每个存储单元块由多个存储单元页组成，每个存储单元页又基于每个存储单元字线和位线连接形成；控制单元15为整个非易失性存储器的控制核心，分别与字线选择单元12、位线选择单元13以及电压泵14连接，可控制字线选择单元12和位线选择单元13实现对存储单元阵列11的存储地址选取，还可控制电压泵14对存储单元阵列11施加电压，并控制所施加的电压大小。

在非易失性存储器中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。图2是一种常见的MOSFET结构图，包括栅极20、源极21、漏极22、P型硅半导体衬底23、P-阱24以及隧穿氧化层25。其相互间的连接为：P型硅半导体衬底23扩散出两个N型区，在P型硅半导体衬底23与两个N型区之间形成P-阱24，P型硅半导体衬底23上方覆盖一层隧穿氧化层24，最后在N型区上方用腐蚀的 方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：栅极20、源极21和漏极22，源极21和漏极22分别对应两个N型区且栅极20为存储单元的字线，漏极22为存储单元的位线。

现有技术中，在对非易失性存储器的存储单元进行编程操作时，在栅极20施加高压并在漏级22端施加低压，由此形成编程电压差，使得源级21中的浮动电荷流向栅极20中，进而使存储单元状态为0。一般地，在进行编程操作时，所采用的编程电压统一设定，然而非易失性存储器的编程能力会随着温度的变化而变化，当温度升高而编程电压保持不变时，其编程能力就相应降低，甚至一直处于编程失败的状态，增加编程操作的工作时间，从而影响编程除效率，进而降低了非易失性存储器的可靠性和稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的编程方法及非易失性存储器，以提高非易失性存储器编程操作的可靠性、高效性以及稳定性。

一方面，本发明实施例提供了一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及控制单元，还包括：温度监测器，

其中，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。

进一步的，所述温度监测器通过排线与所述控制单元上的排线接口相连。

进一步的，所述温度监测器为温度传感器。

另一方面，本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法，包括：

控制单元接收由温度监测器传输的当前温度信息；

控制单元基于所述当前温度信息确定所述待编程页的当前编程电压；

控制单元基于所述当前编程电压对所述待编程页进行编程操作。

进一步的，在控制单元接收由所述温度监测器传输的温度信息之前，还包括：基于所述温度监测器监测外界环境的当前温度值，并将所述当前温度值转换为二进制编码形式的当前温度信息。

进一步的，在控制单元基于所述当前温度信息确定所述待编程页的当前编程电压之前，还包括：在所述控制单元中设置二元组信息表，其中，所述二元组信息表中包括温度信息与编程电压差的对应关系。

进一步的，所述控制单元基于所述当前温度信息确定所述待编程页的当前编程电压，具体包括：控制单元确定所述当前温度信息在所述二元组信息表中对应的编程电压差，并记为当前编程电压差；控制单元基于所述当前编程电压差确定对所述待编程页中的存储单元施加的当前编程电压。

进一步的，所述控制单元基于所述当前编程电压对所述待编程页进行编程操作，具体包括：通过控制单元对所述待编程页的存储单元进行校验，判断所述待编程页中存储单元是否达到编程状态；如果所述存储单元没有达到编程状态，则通过控制单元向所述存储单元施加所述当前编程电压。

进一步的，所述编程状态指存储单元状态为0。