[发明专利]一种用于换流阀饱和电抗器的建模方法

权利要求书

1.一种用于换流阀饱和电抗器的建模方法，其特征在于，包括如下步骤:

A.设计铁芯电感模型；

B.设计损耗电阻模型；

C.建立饱和电抗器等效模型。

2.根据权利要求1所述的建模方法,其特征在于，所述步骤A包括以下步骤：

A-1计算平均磁通密度；

A-2查找磁化曲线；

A-3获得平均磁场强度；

A-4计算所述铁芯电感的电流；

A-5获得所述铁芯电感的等效值。

3.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，

所述损耗电阻模型包括：涡流损耗电阻和磁滞损耗电阻。

4.根据权利要求3所述的建模方法,其特征在于,计算所述涡流损耗电阻包括以下步骤：

B-1计算硅钢叠片间肌肤深度的变化规律；

B-2获得所述涡流损耗电阻的等效值。

5.根据权利要求4所述的建模方法,其特征在于，

所述硅钢叠片包括铁芯环；

当平均磁路相等的时，所述铁芯环等效为轴对称圆环。

6.根据权利要求4所述的建模方法,其特征在于，所述步骤B-2包括：

按下式计算所述硅钢片的涡流电流：

ie=2π(Bsρ)radadt]]>

式中，ρ为硅钢片的电阻率，a为肌肤深度，B_s为饱和磁通密度,r为硅钢片半径。

7.根据权利要求6所述的建模方法,其特征在于，第i片所述硅钢片的涡流电流如下式所示：

iA=ieNT=2π(BsρNT)riaidaidt,i=1,2,3,......NL;]]>

则第i片硅钢片的肌肤深度如下式所示：

a_i＝a₁(r₁/r_i)^1/2；i＝1...N_L

式中，N_L为铁芯的硅钢叠片数量,N_T为线圈匝数,r₁为第1片硅钢片的半径，r_i为第i片硅钢片的半径，a₁为第1片硅钢片的肌肤深度。