[发明专利]一种双端恒流LED驱动芯片

权利要求书

1.一种双端恒流LED驱动芯片，用于LED灯组的驱动电流控制，所述驱动芯片包括芯片输入端口(70)、电源供电模块(10)、过温调节模块(30)、恒流模块(50)和芯片输出端口(80)；

芯片输入端口(70)，提供所述LED灯组的驱动电流；

所述电源供电模块(10)与芯片输入端口(70)相连，用于为所述芯片提供电源；

所述恒流模块(50)分别连接电源供电模块(10)、过温调节模块(30)、芯片输入端口(70)和芯片输出端口(80)；

所述恒流模块(50)包括驱动电路模块(20)、功率管(60)和电流控制模块(40)；

所述驱动电路模块(20)分别与电流控制模块(40)、功率管(60)相连接，电流控制模块(40)分别与功率管(60)和芯片输出端口(80)相连接；

所述电流控制模块(40)包括限流电阻(R4)；所述限流电阻(R4)一端连接功率管(60)输出端，另一端连接芯片输出端口(80)；

所述过温调节模块(30)包括：具有负温度系数的三极管(A1)，所述三极管(A1)的基极输入基准电压(V1)，所述三极管(A1)的发射极接地，所述三极管(A1)的集电极分别连接第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)的另一端输入参考电压(V2)，所述第二电阻的另一端作为过温调节模块的输出端，并且分别与第三电阻(R3)、所述驱动电路模块(20)连接，所述输出端具有输出电压(V3)，所述第三电阻(R3)的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于：所述芯片输入端口(70)连接芯片外部LED灯组的负极，所述芯片输出端口(80)用于连接芯片外部电路的接地端。

3.根据权利要求1或2所述的驱动芯片，其特征在于：所述功率管(60)为高压管，或高压管与低压管的组合。

4.根据权利要求3所述的驱动芯片，其特征在于：

所述高压管为高压MOS管，所述高压MOS管漏极接电源供电模块(10)和芯片输入端口(70)，栅极接驱动电路模块(20)的输出端，源极接电流控制模块(40)；或所述功率管(60)为高压三极管，其集电极接电源供电模块(10)和芯片输入端口(70)，基极接驱动电路模块(20)，发射极接电流控制模块(40)。

5.根据权利要求3所述的驱动芯片，其特征在于：功率管(60)包括高压MOS管(62)和低压MOS管(61)，高压MOS管(62)的漏极接电源供电模块(10)和芯片输入端口(70)，栅极接VDD电压，源极接低压MOS管(61)的漏极；低压MOS管(61)的漏极接高压MOS管(62)的源极，栅极接驱动电路模块(20)的输出端，源极接电流控制模块(40)。

6.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于：还包括基准电压模块(90)，所述基准电压模块(90)用于提供所述基准电压(V1)、参考电压(V2)。

7.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于：驱动电路模块(20)连接功率管(60)和电流控制模块(40)，用于采样功率管(60)上的驱动电流大小，并根据所述驱动电流控制功率管(60)的导通状态。

8.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于：所述驱动电路模块(20)包括一双端输入运算放大器，所述运算放大器的一输入端连接过温调节模块的输出端，所述过温调节模块的输出端具有输出电压(V3)，所述运算放大器的另一输入端连接所述功率管(60)的输出端，用于采样功率管(60)上的驱动电流。

9.根据权利要求2，6-7之一所述的驱动芯片，其特征在于：当所述驱动芯片温度过高超过芯片设定的内部过温调节点时，所述过温调节模块(30)开始工作，自适应地调节输出电压(V3)，驱动电路模块(20)通过降低功率管(60)的电压来降低输出电流。

10.根据权利要求8所述的驱动芯片，其特征在于：当所述驱动芯片温度过高超过芯片设定的内部过温调节点时，所述过温调节模块(30)开始工作，自适应地调节输出电压(V3)，驱动电路模块(20)通过降低功率管(60)的电压来降低输出电流。