[发明专利]一种高切割激光器

说明书

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种高切割激光器。

背景技术

激光器在具体应用时，需要对IV级以上硬核进行切割，但是目前的激光器无法对IV级以上硬核进行切割，因此需要提升激光对IV级以上硬核的切割能力。

鉴于上述缺陷，本发明创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本发明。

发明内容

为解决上述技术缺陷，本发明采用的技术方案在于，提供一种高切割激光器，包括：泵浦装置、工作物质、谐振腔和调Q装置；所述泵浦装置对所述工作物质进行照射；所述工作物质在所述泵浦装置的照射下，内部粒子数反转，并产生激光；所述谐振腔将所述泵浦装置和所述工作物质内置，对所述工作物质发出的指定波段的激光进行震荡和输出；所述调Q装置将连续输出的激光转换为宽度极窄的脉冲，以提高激光的峰值；其中，所述调Q装置为饱和吸收体；所述激光器为Nd:YAG脉冲激光器。

较佳的，所述调Q装置为V:YAG晶体。

较佳的，所述V:YAG晶体置于全反镜的内前处。

较佳的，所述谐振腔包括全反镜和输出镜；所述全反镜与所述输出镜对其中沿所述工作物质轴向传播的单色光谱进行振荡，并将生成的激光从所述输出镜输出。

较佳的，所述V:YAG晶体的厚度为3.5mm。

较佳的，所述全反镜与所述输出镜互相平行且垂直于所述工作物质的轴向。

较佳的，所述全反镜对1.44μm反射率R＝100％,所述输出镜对1.44μmR＝17％。

较佳的，所述全反镜对1.06μm、1.32μm反射率R<0.1％；所述输出镜对1.06μm、1.32μm反射率R<0.1％。

较佳的，所述激光产生的实际峰值功率符合计算公式：

W=e-|θ-θb|π374.5Wm]]>

式中，W为产生激光的实际峰值功率，W_m为产生激光的最大峰值功率，θ_b为V:YAG晶体的布儒斯特角，θ为V:YAG晶体上通光面与光轴的倾斜度。

与现有技术比较本发明的有益效果在于：提供了一种高切割激光器，这样，对于脉冲激光器，将饱和吸收体作为调Q装置，提高了激光的单色亮度，也即是使得激光脉宽变窄，同时线宽也变窄，进而提升了激光对IV级以上硬核的切割能力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明各实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本发明激光器的功能框图；

图2是本发明泵浦装置的示意图；

图3是本发明激光器的部分示意图；

图4是本发明声光调Q器的示意图；

图5是本发明光路控制装置的示意图；

图6是本发明另一实施例介稳谐振腔的示意图；

图7是本发明另一实施例具可饱和吸收体的激光器的部分示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

如图1所示，一种激光器，其包括：泵浦装置1、工作物质2、谐振腔3、调Q装置4、光路控制装置5和冷却装置6；泵浦装置1对工作物质2进行照射；工作物质2在泵浦装置1的照射下，内部粒子数反转，并产生激光；谐振腔3对指定波段的激光进行震荡，并输出；调Q装置4将连续输出的激光转换为宽度极窄的脉冲，以提高激光的峰值；光路控制装置5对激光的光路进行控制；冷却装置6对泵浦装置1、工作物质2和调Q装置4进行冷却。

这样，激光器可以产生特定波段的激光。

<泵浦装置>