[发明专利]封装材料及其制备方法以及光电器件

权利要求书

1.一种封装材料，其特征在于，包括：

基材层；

阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；

耐候层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；

所述耐候层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物。

2.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述掺杂稀土的无机氧化物为Sr₅(PO₄)₃Cl:Eu²⁺、YPO₄:Tb和LaPO₄:Tm中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的封装材料，其特征在于，所述光转换剂的粒径为50nm～10μm。

4.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述耐候层为氟化物。

5.根据权利要求4所述的封装材料，其特征在于，所述耐候层中，光转换剂的质量占氟化物的1％～5％。

6.根据权利要求4所述的封装材料，其特征在于，所述氟化物为氟碳涂料。

7.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述基材层为PET或PEN。

8.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述阻隔层为无机氧化物。

9.根据权利要求8所述的封装材料，其特征在于，所述无机氧化物为氧化钛或者氧化铝。

10.一种权利要求1～9任一项所述的封装材料的制备方法，其特征在于，包括：

提供基材层；

在所述基材层的任一表面通过电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积的方法形成阻隔层；

在所述阻隔层的远离所述基材层的表面上通过涂布的方式形成耐候层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述基材层的表面经过放电处理、电化学预处理或火焰预处理。

12.一种光电器件，包括封装材料，其特征在于，所述封装材料为权利要求1～9任一项所述的封装材料，或权利要求10～11任一项所述的制备方法制备的封装材料。