[发明专利]低噪声放大器及射频终端

说明书

技术领域

本发明涉及射频终端设计领域，特别涉及一种低噪声放大器及射频终端。

背景技术

射频收发机被广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线标签、小型无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、生物信号采集、水文气象监控、数据通信、数字音频以及数字图像传输等诸多领域中。在以射频收发机为例的射频终端中，低噪声放大器是一般为终端设备中的第一级电路，其功能为在产生尽可能低的噪声的前提下对射频信号进行放大，以降低噪声对其后端的各级电路产生影响。

专利文献CN1787364A中公开一种具有低噪声和高增益的低噪声放大器。参照图1所示的低噪声放大器的电路图，所公开的低噪声放大器100包括两级放大器，分别为差分放大电路34、前置放大电路32以及阻抗匹配网络36。其中，所述前置放大电路32可以包括晶体管M1、负载Z1和Z2；所述差分放大电路34可以包括晶体管M2和M3、负载Z4和Z5以及负载电流源Is；所述阻抗匹配网络36可以包括负载Z6；所述低噪声放大器100还可以包括输入耦合阻抗Z3和电容C1。由于低噪声放大器100结构简单，相比差分结构噪声系数较小。同时两级的放大器结构能够提高系统增益；同时，两级放大的级联方式需要两路电流，所以功耗较高。并且，一般而言，低噪声放大器100的输出阻抗是固定的，且不等于50欧姆。

专利文献CN102983817A中公开一种高增益的宽带低噪声放大器，如图2所示的低噪声放大器的电路图所示，所公开的低噪声放大器200采用有源跨导增强电路，包括由电感L1组成的高频扼流单元、由电阻R4组成的负载单元、由晶体管M1、电阻R1、电容C1、电阻R2和电容C2组成的第一输入放大单元和由晶体管M2和电阻R3组成的第二输入放大单元；所述低噪声放大器200输入有第一偏置电压Bias_V1和第二偏置电压Bias_V2，适于调节低噪 声放大器200的静态工作点。低噪声放大器200也具有较高的增益，但是其输出阻抗也是固定的，且不等于50欧姆。

可以发现，一般的低噪声放大器的输出阻抗不是50欧姆，当采用测试设备对低噪声放大器进行测试时，低噪声放大器的输出阻抗与测试设备的输入阻抗的不匹配将导致测试设备测试出的射频参数不准确。

因此，现有技术中面临着的问题是低噪声放大器的输出阻抗与测试设备的输入阻抗不匹配，导致对低噪声放大器的射频参数测试不准确。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何调节低噪声放大器的输出阻抗以适应测试设备的输入阻抗。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种低噪声放大器，低噪声放大器包括：低噪声放大单元；低噪声放大器还包括：输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。

可选地，所述输出阻抗调节单元包括：源极跟随器和压控电流源，其中，所述源极跟随器的第一输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第一输入端，所述源极跟随器的第二输入端耦接电源，所述源极跟随器的输出端耦接所述输出阻抗调节单元的输出端；所述压控电流源的输出端耦接所述源极跟随器的输出端，所述压控电流源的输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第二输入端，所述压控电流源在所述调节电压的控制下在所述输出端提供电流。

可选地，所述源极跟随器包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极耦接所述源极跟随器的第一输入端，所述第一NMOS晶体管的漏极耦接所述源极跟随器的第二输入端，所述第一NMOS晶体管的源极耦接所述源极跟随器的输出端。

可选地，所述压控电流源包括第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极耦接所述压控电流源的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极耦接 所述压控电流源的输出端，所述第二NMOS晶体管的源极接地。