[发明专利]绝缘栅双极晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201610310327.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105762077B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周贤达;舒小平;徐远梅 | 申请（专利权）人： | 中山汉臣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 制造 方法 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的制造方法包括下述步骤：
（1）、制作轻掺杂衬底晶片；
（2）、在所述晶片上形成电介质层（333）；
（3）、在所述电介质层（333）上淀积未掺杂的多晶硅层；
（4）、对所述未掺杂的多晶硅层和电介质层（333）进行图案化处理，以形成栅极沟槽（541）；
（5）、淀积硅以在单晶硅表面上形成单晶硅，并在所述晶片表面的剩余部分上形成多晶硅；
（6）、形成栅电介质（332）；
（7）、通过多晶硅淀积和回蚀刻形成栅电极（322），
（8）、通过离子注入和驱入形成多晶硅基区（313），
（9）、形成重掺杂的多晶硅发射区（311）和多晶硅扩散区（312），
（10）、淀积层间电介质（331）；
（11）、对所述层间电介质（331）进行图案化处理，
（12）、通过淀积金属层和图案化处理形成发射极（321），
（13）、减薄所述晶片以形成漂移区（314），
（14）、通过离子注入和退火在背侧形成缓冲区（315），
（15）、通过离子注入和退火在所述背侧形成集电区（316），
（16）、通过淀积金属层并合金而在所述背侧形成集电极（323）。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的栅电介质（332）是通过对所述晶片的表面进行氧化而形成的。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的栅电介质（332）是通过对所述晶片的表面进行氧化并随后淀积高K电介质而形成的。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的电介质层（333）为氧化硅或氮化硅，当电介质层（333）为氧化硅时，通过淀积或热氧化而形成，当电介质层（333）为氮化硅时，通过淀积而形成。
5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的层间电介质（331）采用氧化硅。
6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的步骤（14）中，退火采用激光退火或低温退火。
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