[发明专利]渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺有效
| 申请号： | 201610313055.7 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105845716B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张进成;黄金金;于婷;陆芹;郝跃;薛军帅;杨林安;林志宇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/88 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 渐变 in 组分 ingan 量子 rtd 二极管 工艺 | ||
【权利要求书】：
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