[发明专利]一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610314304.4 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105762174A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王国峰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/868 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阴极 辅助 恢复 二极管 材料 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.含阴极辅助的快恢复二极管材料片，其结构包括：如图2，在低掺杂的N-单晶硅片（D）的下面通过掺杂形成10-20um厚的N层（C），在N层涂覆磷乳胶源（A），通过乳胶源粘附一片N型单晶片（B），通过热氧化方式使两片硅片结合在一起，同时在N层内形成4-6um的N+区（E），将N-层（D）减薄到20-80um。
2.根据权利要求1所述的含阴极辅助的快恢复二极管的材料片结构，其特征在于，具有N+（E）/N（C）形成的阴极辅助结构。
3.根据权利要求1所述的材料片结构，其特征在于，乳胶源厚度在5um~30um，形成N+区宽度20um~150um，N型区（C）和N-区（D）总厚度在30-100um，N型区（C）面有粘附的单晶片（B）做支撑。
4.一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构及其制造方法，其步骤包括：在低掺杂N-单晶片（D）的下面扩磷形成N型区（C），再在N型区（C）通过丝网印刷涂覆磷乳胶源，利用乳胶源粘附一片单晶片（B），经过高温扩散，在N型区（C）内形成N+区（E），形成阴极辅助二极管，并且高温扩散时通过硅氧化的方式使两硅片紧密结合在一起，减薄、抛光N-单晶片（D）上表面，使N型区（C）和N-区（D）的总厚度变薄。
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