[发明专利]基于巨压阻结构的悬臂梁生化传感器及悬臂梁制作方法有效
申请号: | 201610318148.9 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105974104B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 张加宏;沈雷;李敏;冒晓莉 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
主分类号: | G01N33/50 | 分类号: | G01N33/50;B81C1/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 张丽,董建林 |
地址: | 210019 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 巨压阻 结构 悬臂梁 生化 传感器 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种基于巨压阻结构的悬臂梁生化传感器及悬臂梁制作方法,属于微纳机电系统传感器技术领域。
背景技术
从上世纪80年代以来随着MEMS(微机电系统)技术的快速发展,越来越多的MEMS器件被广泛应用于工农业、航空航天、气象环境、国防军事等各个领域。而近些年来随着微探针与微流计等器件的研制成功,数量众多的MEMS器件进入了化学分析、生物检测、医药筛选和公共环境卫生监测等领域。然而,目前的生化传感器由于器件本身结构限制,无法实现实时高精度、高灵敏度的生化检测。
微型悬臂梁作为MEMS器件中一种极其重要的基本结构一直是人们研究的热点。基于悬臂梁结构的传感器可以将待检测量,如质量、温度、应力等参数转化为悬臂梁的静态弯曲量或者动态谐振频率变化量,从而实现对待测量快速、准确的测量。尽管如此,传统的压阻结构悬臂梁传感器电阻应变系数小,随着传感器尺寸的变小,由于自身结构和工艺的限制,如:大面积吸附引起悬臂梁弹性常数变化,产生频率偏移而导致测量误差;液体生化环境中悬臂梁品质因子大幅降低,导致灵敏度降低等等,这类传感器已经不能满足现代高灵敏度测试的要求。同时传统的生化传感器由于受到环境中温度、湿度、光照等因素的影响,缺少信号补偿,使得测量精度产生较大偏差,无法满足用户在复杂外界环境条件下高精度、高灵敏度的生化检测要求。
发明内容
本发明为了解决现有技术中存在的上述缺陷和不足,提供了一种基于巨压阻结构的悬臂梁生化传感器及悬臂梁制作方法,该生化传感器的悬臂梁采用硅铝异质结形成的巨压阻结构,其压阻系数与应变系数均数量级地增加,极大地提升了传感器的灵敏度,可以有效地捕捉生化病毒分子。
为解决上述技术问题,本发明提供一种基于巨压阻结构的悬臂梁生化传感器,包括数据采集器、四线制测量电路、AD7794模数转换器、MSP430F169单片机和LCD12864液晶显示屏,所述数据采集器将采集到的数据通过四线制测量电路传输给AD7794模数转换器,AD7794模数转换器转换后输出至MSP430F169单片机,由MSP430F169单片机发送至LCD12864液晶显示屏,在LCD12864液晶显示屏上显示;
所述数据采集器包括基底和依次固定在所述基底上的若干个悬臂梁,若干个所述悬臂梁串联由同一个恒流源供电,所述相邻两个悬臂梁的固定端之间通过金属铝材质的连接线相连;所述悬臂梁包括依次设置的检测区、金属铝段区、巨压阻结构区、掺杂硅段区,所述检测区由金属铝段区的端部自组装后表面修饰高分子敏感材料或者生物活性分子材料而成,位于悬梁臂的自由端,所述掺杂硅段区位于悬臂梁的固定端,所述巨压阻结构区为硅铝异质结,所述悬臂梁的固定端上设有电位测量点。
进一步,所述悬臂梁的两边均设有共模信号补偿结构,每个悬臂梁利用与之相邻的两个共模信号补偿结构消除噪声,且相邻两个悬臂梁共用一个共模信号补偿结构。
进一步,所述共模信号补偿结构与所述悬臂梁的尺寸和组成材料相同。
进一步,所述共模信号补偿结构与所述悬臂梁串联由同一恒流源供电,所述共模信号补偿结构与所述悬臂梁之间通过金属铝材质的连接线相连。
进一步,所述金属铝段区的宽度为70-100μm、长度为35-60μm,所述掺杂硅段区的宽度为70-100μm、长度为6μm。
进一步,所述基底为SOI硅片。
进一步,所述四线制测量电路与所述AD7794模数转换器之间设有依次相连的多路选择器和放大滤波电路。
进一步,所述放大滤波电路包括由电阻R1、R2、R3、R4与差分放大器AD8216构成的第一级放大电路,由电阻R5和电容C1、电阻R7和电容C2构成的二阶RC低通滤波器,由电阻R6、电阻R8、电容C5与差分放大器AD8216构成的第二级放大电路,由精密运放OPA177、电阻R9、电阻R10、电容C3和电容C4构成的二阶有源低通滤波电路。
悬臂梁的制作方法,包括以下步骤:
步骤一,材料准备;选用SOI硅片作为基底,首先对基底进行清洗,然后在基底上标记出一段区、二段区;
步骤二,掺杂硅段区制作;在步骤一标记的二段区注入硼离子,高温快速退火激活硼离子,然后采用光刻与RIE刻蚀方法刻蚀一段区的硅至二氧化硅牺牲层为止,从而得到掺杂硅段区;
步骤三,金属铝段区制作;在掺杂硅段区和二氧化硅牺牲层表面上旋涂光刻胶,然后溅射金属铝,并光刻刻蚀金属铝结构,形成金属铝段区;
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