[发明专利]一种氮化硼包覆M2Si5N8:Eu2+发光材料的合成方法有效
申请号: | 201610318283.3 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105969332B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 王耐艳;张阳;于兆能;陈杰;许康龙 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学;杭州玄路光电科技有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/59 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 硼包覆 sub si eu sup 发光 材料 合成 方法 | ||
1.一种氮化硼包覆M2Si5N8:Eu2+荧光材料的合成方法,其特征在于,该方法的步骤如下:
1)碱土金属、稀土铕和硼化物的氨合溶解:
根据M2Si5N8:Eu2+各组分摩尔数之比,在混合设备中,常温、高纯氮气条件下,清洗干净的容器中放入0.01mol碱土金属和稀土铕,其摩尔数比例为19~4:1,碱土金属和稀土铕溶解于100ml~200ml干燥液氨溶剂中,加入NaBH4为0.0005~0.002 mol,搅拌使之溶解,形成蓝绿色氨合离子溶液,待用;
2)氨基金属同活性球形非晶硅粉均匀混合:
按M2Si5N8:Eu2+的组分比值称取活性球形非晶硅粉,将上述步骤1)中100ml~200 ml蓝绿色氨合离子溶液注入活性球形非晶硅粉中,搅拌使溶液中的溶剂液氨挥发,溶液中氨合离子以M(NH2)x的形式过饱和析出,并吸附在活性球形非晶硅粉表面,弥散沉淀在活性球形非晶硅粉上,得到设计要求的均混反应物;
3)将上述步骤2)均混反应物装入坩埚 ,放入经氮气吹扫的合成炉内,通流速为40~80 ml/min的高纯N2,保持炉内气压为常压,以10℃/min升温到600℃~650℃保温2~4小时,再直升到1100℃~1380℃,保温5~10小时,得到合成产物;
4)将上述步骤3)处理后的合成产物以10℃/min降温到800℃,切断加热电,继续充氮使炉内保持0.1 Mpa压力,随炉冷却到常温,停止充氮,取出合成产物,进行产物XRD晶体结构和PL发光性能测试。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硼包覆M2Si5N8:Eu2+荧光材料的合成方法,其特征在于:所述混合设备为气氛保护手套箱。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硼包覆M2Si5N8:Eu2+荧光材料的合成方法,其特征在于:所述合成炉为石墨加热合成设备。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硼包覆M2Si5N8:Eu2+荧光材料的合成方法,其特征在于:所述高纯N2气源为99.999%的氮气。
5.根据权利要求1所述的一种氮化硼包覆M2Si5N8:Eu2+荧光材料的合成方法,其特征在于:所述液氨溶剂为经CaO除水干燥处理液氨。
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