[发明专利]一种硅块清洗烘干装置

说明书

本发明提供一种硅块清洗烘干装置，包括：清洗单元，其用于对破碎完成后的硅块表面进行清洗处理；烘干单元，其用于对清洗完成后的硅块进行烘干处理；以及，冷却单元，其用于对烘干完成后的硅块进行冷却处理。本发明所述硅块清洗烘干装置能够充分清洗硅块以去除其表面残留物和划痕。

技术领域

本发明涉及硅生产技术领域，具体涉及一种硅块清洗烘干装置。

背景技术

多晶硅是太阳能光伏行业的基础材料。目前，多晶硅生产主要采用改良西门子法(即三氯氢硅还原法)，指的是利用气相沉积法在还原炉中通过H₂来还原SiHCl₃从而制备多晶硅棒，具体反应方程式为：

3SiHCl₃+H₂→2Si+5HCl+SiCl₄

通过改良西门子法生产出来的多晶硅棒，经转运箱运输到产品整理工序后，先将硅棒从转运箱内取出，然后在特定的平台上，将棒状产品破碎为满足客户要求的具有一定线性尺寸的块状产品。

现有技术中，破碎完成后的多晶硅块进行表面吹扫后就直接进行称重包装。

但是，由于多晶硅属于高纯产品，在破碎的过程中会因工装器具以及空气、人员的接触而使得硅块表面附着有金属杂质，从而被金属杂质污染，导致多晶硅表面金属含量超标，进而导致多晶硅产品生产出的下游产品质量不合格，影响企业的经营效益。此外，在破碎的过程中还会因硅块间摩擦而导致硅块表面残留硅粉，甚至产生划痕，影响多晶硅的外观质量，而外观较差会导致客户对产品质量质疑，不利于产品的销售。而仅通过表面清扫工艺无法完全去除硅块表面附着的金属杂质、残留的硅粉及划痕。

因此，设计一种能够充分清洗硅块以去除其表面残留物和划痕的装置成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷，提供一种能够充分清洗硅块以去除其表面残留物和划痕的硅块清洗烘干装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

本发明提供一种硅块清洗烘干装置，其包括：

清洗单元，其用于对破碎完成后的硅块表面进行清洗处理；

烘干单元，其用于对清洗完成后的硅块进行烘干处理；以及，

冷却单元，其用于对烘干完成后的硅块进行冷却处理。

优选地，还包括料篮，所述硅块置于所述料篮中。

优选地，还包括输送单元，其用于将盛放有硅块的料篮从硅破碎系统料道传输至清洗单元入口，以及将清洗完成后的所述料篮从清洗单元出口传输至烘干单元入口，且依次经烘干单元内部、冷却单元内部后传输至包装区料道。

优选地，所述清洗单元包括三个清洗槽，分别为第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽，每个清洗槽中均设置有清洗介质和能够通过槽壁将超声波辐射至槽内清洗介质的超声波清洗器，用以通过超声波清洗硅块表面；盛放有硅块的料篮依次经过第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽的清洗后进入烘干单元。

优选地，所述清洗单元还包括第二清洗槽，其内设置有弱酸溶液，用以通过弱酸溶液清洗硅块表面；盛放有硅块的料篮依次经过第一至第四清洗槽的清洗后进入烘干单元。

优选地，所述清洗单元还包括脱水槽和热风风切子单元，依次经过第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽清洗后的所述料篮进入脱水槽，所述热风风切子单元用于将压缩空气加热到预设温度后对进入脱水槽内的所述料篮进行往复式吹扫，以对所述料篮内的硅块进行初步干燥，经吹扫后的所述料篮进入烘干单元。