[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底中形成第一开口；

形成位于所述第一开口侧壁以及所述基底表面上的导电结构；

在所述第一开口中形成保护层，所述保护层露出所述第一开口侧壁与所述基底表面连接处的导电结构；

氧化部分厚度的导电结构；

去除所述保护层以及被氧化的导电结构，形成第二开口；

向所述第二开口内填充导电材料以形成互连结构；

所述保护层的材料包括氧化石墨烯。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成保护层的步骤包括：

向所述第一开口内填充前驱体，所述前驱体包含有氧化石墨烯；

对所述前驱体进行固化处理，形成保护材料层；

去除部分厚度的保护材料层，以露出所述第一开口侧壁与所述基底表面连接处的部分导电结构，形成保护层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，填充前驱体的步骤中，向所述第一开口内填充流体状态的前驱体。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，对所述前驱体进行固化处理的步骤包括：通过热固化或辐射固化的方式对所述前驱体进行固化处理。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，通过热固化的方式对所述前驱体进行固化处理的步骤中，所述热固化的温度小于280℃。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，通过辐射固化的方式对所述前驱体进行固化处理的步骤中，采用UV辐射对所述前驱体进行固化处理。

7.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的保护材料层的步骤中，采用氧气等离子体去除所述保护材料层的部分厚度；

采用氧气等离子体去除所述保护材料层部分厚度的过程中，氧化部分厚度的导电结构。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的步骤包括：通过水洗的方式去除所述保护层。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第二开口之后，填充导电材料之前，还包括：对所述半导体结构进行还原处理。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述还原处理的步骤中，通过氢气或肼对所述半导体结构进行还原处理。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除被氧化的导电结构的步骤包括：通过酸洗的方式去除所述被氧化的部分导电结构。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，通过酸洗的方式去除所述部分厚度导电结构的步骤包括：通过盐酸清洗的方式去除所述被氧化的部分导电结构。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，通过酸洗去除被氧化的部分导电结构的步骤中，在酸洗过程中加入氮气。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述导电结构的步骤中，所述导电结构包括种子层，或者，所述导电结构包括种子层以及位于种子层表面的部分电镀层。

15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，形成包含有种子层的导电结构的步骤中，通过物理气相沉积的方式形成所述种子层。

16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，填充导电材料的步骤中，通过电镀的方式填充导电材料形成互连结构。

17.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一开口之后，在形成所述保护层之前，还包括：在所述第一开口侧壁和底部形成粘附层或阻挡层。