[发明专利]液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法有效
| 申请号： | 201610319319.X | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105739209B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 小山润;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶显示 设备 用于 驱动 方法 | ||
1.一种显示设备，包括像素中的晶体管，
其中，帧频率小于每秒60帧，
其中，所述晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区，
其中，所述氧化物半导体包括In、Ga和Zn，
其中，所述沟道形成区包括结晶组分，以及
其中，当所述晶体管的漏极与源极之间的电压是10V时，所述晶体管的截止电流小于或等于1×10-12A。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且小于或等于103。
3.一种显示设备，包括像素中的晶体管，
其中，静止图像以小于每秒60帧被显示，以及
其中，所述晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区，
其中，所述氧化物半导体包括In、Ga和Zn，
其中，所述沟道形成区包括结晶组分，以及
其中，当所述晶体管的漏极与源极之间的电压是10V时，所述晶体管的截止电流小于或等于1×10-12A。
4.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且小于或等于103。
5.一种显示设备，包括像素中的晶体管，
其中，静止图像以高于每帧16毫秒被显示，以及
其中，所述晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区，
其中，所述氧化物半导体包括In、Ga和Zn，
其中，所述沟道形成区包括结晶组分，以及
其中，当所述晶体管的漏极与源极之间的电压是10V时，所述晶体管的截止电流小于或等于1×10-12A。
6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且小于或等于103。
7.一种显示设备，包括驱动电路，其被配置成将图像信号提供给像素，
所述像素包括晶体管，
其中，静止图像显示时所述驱动电路的操作频率低于活动图像显示时所述驱动电路的操作频率，以及
其中，所述晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区，
其中，所述氧化物半导体包括In、Ga和Zn，
其中，所述沟道形成区包括结晶组分，以及
其中，当所述晶体管的漏极与源极之间的电压是10V时，所述晶体管的截止电流小于或等于1×10-12A。
8.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且小于或等于103。
9.一种显示设备的驱动方法，所述显示设备包括像素中的晶体管，所述驱动方法包括：
以小于每秒60帧的帧频率显示图像，
其中，所述晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区，
其中，所述氧化物半导体包括In、Ga和Zn，
其中，所述沟道形成区包括结晶组分，以及
其中，当所述晶体管的漏极与源极之间的电压是10V时，所述晶体管的截止电流小于或等于1×10-12A。
10.如权利要求9所述的显示设备的驱动方法，其特征在于，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且小于或等于103。
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