[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201610320226.9 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN105759525A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 张伟;张琨鹏;李慧;詹小舟;刘宇;刘弘 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;G06F3/041 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示面板(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)是目前常用的平板显示器,液晶显示面板以其体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点,被广泛地应用于现代数字信息化设备中。
随着低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)、内嵌式(InCell)触控显示面板的发展,对生产工艺和设计的要求越来越高。现有技术常用的内嵌式触控显示面板包括混合内嵌式(HybridInCell,HIC)触控显示面板和全内嵌式(FullInCell,FIC)触控显示面板,而混合内嵌式触控显示面板和全内嵌式触控显示面板均将公共电极复用为触控电极,该公共电极通常不再设计为整面覆盖的电极,此时公共电极所在的层会产生段差和电极开口。
具体如图1所示,现有技术的触控显示面板包括衬底基板10、位于衬底基板10上的栅极11、位于栅极11上的中间绝缘层(InterLayerDielectric,ILD)12和平坦层13、位于平坦层13上的公共电极,以及位于公共电极上的绝缘层15,公共电极由若干公共子电极14组成,公共电极复用为触控电极。从图中可以看到,公共电极所在的层会产生段差和电极开口,段差的产生会形成不良(Mura),电极开口后不能屏蔽下层的栅极11,栅极11产生的电场会对液晶取向电场产生影响,从而产生显示不良。
综上所述,现有技术触控显示面板的公共电极复用为触控电极时,会导致触控显示面板产生显示不良,触控显示面板的良率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置,用以改善产品的显示不良,提升产品的良率。
本发明实施例提供的一种阵列基板,包括衬底基板、位于所述衬底基板上具有开口区域的公共电极,其中,还包括位于所述公共电极上方接地的屏蔽电极;
所述屏蔽电极的位置与所述公共电极的开口区域对应,并覆盖所述公共电极的开口区域。
由本发明实施例提供的阵列基板,由于该阵列基板包括屏蔽电极,屏蔽电极的位置与公共电极的开口区域对应,并覆盖公共电极的开口区域,与现有技术相比,本发明实施例中公共电极的开口区域对应的位置处被屏蔽电极覆盖,公共电极和屏蔽电极形成的电极层能够很好的屏蔽公共电极下方的栅极以及源漏极,能够避免由于栅极以及源漏极产生的电场对液晶取向电场产生的影响,进而能够很好的改善产品的显示不良,提升产品的良率。
较佳地,所述公共电极由若干呈阵列排列的方块形公共子电极组成;
所述屏蔽电极包括若干沿行方向排列的第一屏蔽电极和若干沿列方向排列的第二屏蔽电极,所述第一屏蔽电极的位置与相邻两行公共子电极之间的开口区域对应,所述第二屏蔽电极的位置与相邻两列公共子电极之间的开口区域对应;以及
所述第一屏蔽电极覆盖相邻两行公共子电极之间的开口区域,所述第二屏蔽电极覆盖相邻两列公共子电极之间的开口区域。
较佳地,所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极同层设置,所述第一屏蔽电极或所述第二屏蔽电极在交叉位置处断开设置。
较佳地,当所述第一屏蔽电极在交叉位置处断开时,每一所述第一屏蔽电极分别与所述第一屏蔽电极相邻行且位于所述第一屏蔽电极同一侧正对位置处的每一所述公共子电极一一对应电连接;
当所述第二屏蔽电极在交叉位置处断开时,每一所述第二屏蔽电极分别与所述第二屏蔽电极相邻列且位于所述第二屏蔽电极同一侧正对位置处的每一所述公共子电极一一对应电连接。
较佳地,所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极与阵列基板包括的像素电极同层设置。
较佳地,所述第一屏蔽电极的上表面与阵列基板包括的位于所述公共电极与所述第一屏蔽电极之间的绝缘层的上表面平行设置;
所述第二屏蔽电极的上表面与阵列基板包括的位于所述公共电极与所述第二屏蔽电极之间的绝缘层的上表面平行设置。
较佳地,所述公共电极由沿行方向或沿列方向排列的若干条形公共子电极组成;
若所述公共子电极沿行方向排列,所述屏蔽电极的位置与相邻两行公共子电极之间的开口区域对应,并覆盖相邻两行公共子电极之间的开口区域;
若所述公共子电极沿列方向排列,所述屏蔽电极的位置与相邻两列公共子电极之间的开口区域对应,并覆盖相邻两列公共子电极之间的开口区域。
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