[发明专利]一种发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，至少包括依次层叠的N型层、有源层和P型层，其特征在于：在所述P型层与所述有源层之间包括一P型插入层，所述P型插入层从下至上依次包括周期性层叠的铟富集层、第一氮化铟层、镁富集层和第二氮化铟层。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述P型插入层与所述P型层之间包括一过渡层。

3.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于：所述过渡层为AlxInyGa1-x-yN层，其中，0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1。

4.一种发光二极管的制备方法，至少包括以下步骤：

制备N型层；

于所述N型层上制备有源层；

于所述有源层上制备P型层；

其特征在于：所述P型层制备之前包括制备P型插入层的步骤，具体为：

1). 降低反应室温度，关闭氮源，通入铟源，于有源层表面形成铟富集层；

2). 通入氮源，形成第一氮化铟层；

3).关闭铟源，通入镁源，形成镁富集层；

4). 关闭镁源，继续通入铟源，形成第二氮化铟层；

5). 重复上述步骤1)-4)，形成P型插入层。

5.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述铟富集层的生长温度与所述第一氮化铟层的生长温度的温度差为0~50℃。

6.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述第二氮化铟层的生长温度高于或等于所述第一氮化铟层，其温度差为0~50℃。

7.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述P型插入层的生长温度为400~800℃。

8.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述P型插入层之后包括制备一过渡层的生长步骤。

9.根据权利要求8所述的一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述过渡层为AlxInyGa1-x-yN层，其中，0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1。

10.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤1)-4)的重复次数为1~10次。