[发明专利]形成包括焊盘部分和线部分的精细图案的方法

说明书

一种形成精细图案的方法包括在基层上形成间隔物。间隔物包括间隔物块、设置为面对间隔物块的第一开口区域以及从间隔物块延伸到第一开口区域的第一线。间隔件形成在间隔物的侧壁上，以限定与第一开口区域重叠的第二开口区域，并且包括在第一线的侧壁上的第二线。可以去除间隔物，以打开被间隔物块占用的第三开口区域和第二线之间的间隔。目标图案形成为包括填充第二线之间的间隔的第三线、填充第二开口区域的第一焊盘块以及填充第三开口区域的第二焊盘块。将第一和第二焊盘块中的每一个分离成多个焊盘。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年11月27日提交的第10-2015-0167733号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各个实施例涉及图案化技术，更具体地，涉及形成包括焊盘部分和线部分的精细图案的方法。

背景技术

随着半导体行业的快速增长，很多努力都集中在将半导体器件集成在半导体衬底的有限区域中。典型地，增加半导体器件的密度的尝试导致了精细图案的形成。已经提出了各种技术，用于形成具有纳米级关键尺寸(CD)的精细图案，例如，尺寸从大约几纳米到大约几十纳米。

由于现有光刻设备的图像分辨率的限制，用于形成精细图案的光刻工艺工艺可能受到限制。光刻设备的图像分辨率的限制与从所使用的光学系统的光源产生的光的波长和所述光学系统的分辨率限制有关。最近，已经提出了双重图案化(DPT)或间隔图案化(SPT)技术，用于克服光刻设备的分辨率限制。

在形成一阵列具有基本相同宽度的重复的线/间隔图案中，可以使用间隔图案化技术(SPT)。但是，使用间隔图案化技术(SPT)可能难以形成线/间隔图案连同具有与线/间隔图案的线图案不同的宽度的焊盘(Pad)图案。因此，为了解决以上问题，可以在使用间隔图案化技术(SPT)形成线/间隔图案之后，使用额外的光刻工艺来形成焊盘图案。但是，在此情况下，可能在线/间隔图案与焊盘图案之间发生叠加误差。当在形成焊盘图案的同时在线/间隔图案与焊盘图案之间发生叠加误差时，焊盘图案和线/间隔图案可能彼此不重叠，导致焊盘图案和线/间隔图案彼此分离的故障。另外，当在形成焊盘图案的同时在线/间隔图案与焊盘图案之间发生叠加误差时，焊盘图案可能与邻接于所期望的线图案的非所期望的线图案重叠，导致焊盘图案不电连接到所期望的线图案的故障。此外，使用形成焊盘图案的光刻工艺可能难以精确地控制焊盘图案的关键尺寸。在此情况下，焊盘图案可能与线/间隔图案的所期望的线图案分离，导致焊盘图案不电连接到所期望的线图案的故障。这些故障是使用间隔图案化技术(SPT)来形成精细图案的限制。

发明内容

根据一个实施例，提供一种形成精细图案的改进的方法。所述方法包括在基层上形成间隔物。间隔物形成为包括间隔物块部分、设置为面向间隔物块部分的第一开口区域以及多个第一线部分，第一线部分从间隔物块部分的侧壁向第一开口区域延伸，以便第一线部分的端部与第一开口区域接触。间隔件形成在间隔物的侧壁上。间隔件形成为包括包围与第一开口区域重叠的第二开口区域的间隔件环路部分、设置在第一线部分中的每一个的两个侧壁上的多个第二线部分、设置在第一线部分的端部的侧壁上的第一连接部分以及设置在间隔物块部分的侧壁在第一线部分之间的部分上的第二连接部分。去除间隔物，以暴露与由间隔物块部分占用的区域对应的第三开口区域，并且暴露第二线部分之间的所有间隔。形成目标图案，以填充被间隔件暴露的区域。目标图案形成为包括填充第二线部分之间的间隔的第三线部分、填充第二开口区域的第一焊盘块部分以及填充第三开口区域的第二焊盘块部分。将第一和第二焊盘块部分中的每一个分离成多个焊盘部分。