[发明专利]TFT基板的断线修复方法

权利要求书

1.一种TFT基板的断线修复方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一TFT基板(1)；

所述TFT基板(1)包括：衬底基板(100)、设置于所述衬底基板(100)上图案化的第一金属层(200)、覆盖在所述衬底基板(100)及第一金属层(200)上的绝缘层(300)、设置在所述绝缘层(300)上的图案化的第二金属层(400)、及覆盖在所述绝缘层(300)及第二金属层(400)上的钝化层(500)；

步骤2、找出所述TFT基板(1)中的断线(20)及该断线(20)上断点(21)的位置；

步骤3、在所述钝化层(500)与位于所述断点(21)两端的所述断线(20)相交的位置分别进行加工以暴露出所述断线(20)所处的金属层；

步骤4、在所述钝化层(500)及断点(21)两端暴露的金属层上形成金属长膜(700)，以使所述断点(21)两端的所述断线(20)连通；

步骤5、在所述金属长膜(700)的表面形成保护膜(800)或者对所述金属长膜(700)的表面进行平坦化改质；

所述步骤5中对所述金属长膜(700)的表面进行平坦化改质的具体方法为：提供一激光头，使用所述激光头对所述金属长膜(700)的表面进行平坦化改质；

所述激光头发射激光的频率不低于1000次/秒，所述激光头发出的激光波长为300μm～700μm。

2.如权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：将所述TFT基板(1)放入阵列测试站点进行检测，找出所述TFT基板(1)中的断线(20)及该断线(20)上断点(21)的位置坐标，并记录该断点(21)的坐标。

3.如权利要求2所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：将所述TFT基板(1)传送至修补机台，所述修补机台根据断点(21)的坐标查找到相应的断点(21)；然后，通过激光打点的方式在所述钝化层(500)与位于所述断点(21)两端的所述断线(20)相交的位置加工以暴露出所述金属层。

4.如权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤5中在所述金属长膜(700)的表面形成保护膜(800)的具体方法为：将所述TFT基板(1)传送至保护膜制程机台，利用保护膜制程机台的喷嘴在所述金属长膜(700)上内滴布保护膜材料，并将所述TFT基板(1)移动至紫外光固化设备对保护膜材料进行固化，形成覆盖所述金属长膜(700)的保护膜(800)。

5.如权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述保护膜(800)的材料为亚克力树脂、或UV感光树脂。

6.如权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述保护膜制程机台的喷嘴的喷口直径为0.5μm～10μm。

7.如权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述紫外光固化设备发射的紫外光波长为100μm～700μm。

8.如权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述TFT基板(1)还包括设置在所述钝化层(500)上的色阻层(600)；

在所述步骤3中，去除与该断点(21)相邻区域内的部分色阻层(600)，形成能够连通断线(20)上断点(21)两端的色阻凹槽(610)，所述色阻凹槽(610)暴露出位于所述色阻层(600)下方的所述钝化层(500)；在所述钝化层(500)与位于所述断点(21)两端的所述断线(20)相交的位置分别进行加工以暴露出所述断线(20)所处的金属层；

所述TFT基板的断线修复方法还包括步骤6、对具有所述色阻凹槽(610)的子像素区域进行暗点化处理，完成TFT基板的断线修复。

9.如权利要求8所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤4中，在所述色阻凹槽(610)内部的钝化层(500)及断点(21)两端暴露的金属层上形成金属长膜(700)。