[发明专利]一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法

说明书

本发明提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，该制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型N PN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过未遮盖区域对第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。本发明在不改变BCD工艺上其他相关器件参数的同时，提升了NPN三极管的电性参数β值。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其是涉及一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法。

背景技术

集成电路是一种微型电子器件或部件，是指采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，具有提升系统稳定性以及缩小占地空间的作用。BCD工艺是很常见的集成电路工艺，其中集成了小尺寸的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS)、三极管、二极管以及各种电阻，可供电路设计者自由选择。在BCD工艺中，为了得到目标CMOS以及LDMOS的电学性能，NPN三极管通常是按照寄生器件设计的。在三极管的电性参数中，三极管的电流放大倍数β是很重要的电性参数，关系到三极管的电流放大倍数。在三极管的制作过程中，β值与三极管的基区离子掺杂浓度直接相关，基区离子掺杂浓度越小，β值越高。但是在BCD工艺中，在BCD板上制作的N阱区内可以制作多个P阱区域，该多个P阱区域不仅可以作为NPN三极管的基区，还可以作为N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)的衬底。在BCD工艺中进行P阱区域离子注入时，为了避免发生NMOS中源极和漏极的串通击穿，通常小尺寸的NMOS的P阱区域的离子掺杂浓度都较高，此时由于NMOS的P阱区域和NPN三极管的P阱区域同时进行离子注入，因此NPN三极管的P阱区域的离子掺杂浓度同样较高，从而导致β值较小，但此时若为了提升β值而降低整体P阱区域的离子掺杂浓度，则会导致BCD板上其他相关器件的参数失效。

发明内容

为了实现在不改变BCD工艺上其他相关器件参数的同时，提升NPN三极管的β值，本发明提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，该制作方法包括：

在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；

在所述深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型NPN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；

在所述第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，所述第二P阱区域表面均为未遮盖区域；

通过所述未遮盖区域对所述第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。

可选的，所述在所述第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，包括：根据第一P阱区域的预设离子掺杂浓度，通过光刻工艺调整所述遮盖区域与所述第一P阱区域的比例，其中，遮盖区域为光刻胶覆盖的区域，所述未遮盖区域为未被光刻胶覆盖的区域，且所述遮盖区域与所述第一P阱区域的比例越大，所述第一P阱区域的离子掺杂浓度越小。

可选的，所述通过所述未遮盖区域对所述第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入之后，所述制作方法还包括：对所述第一P阱区域进行高温推阱，以使通过所述未遮盖区域注入第一P阱区域的离子扩散至整个第一P阱区域。