[发明专利]一种像素单元及其制作方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201610323593.4 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105742299B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 王祖强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 滕一斌<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种像素单元,其特征在于,所述像素单元包括:
晶体管;
所述晶体管的漏极上形成有第一底层导电层,所述第一底层导电层覆盖所述漏极的整个顶面及各个侧面;
所述晶体管和所述第一底层导电层上形成有平坦层,所述平坦层上设有过孔;
所述平坦层上形成有金属层,所述金属层通过所述过孔与所述第一底层导电层电连接;
所述晶体管的源极与所述平坦层之间形成有第二底层导电层,所述第二底层导电层覆盖所述晶体管的源极的整个顶面及各个侧面;
所述第一底层导电层与所述第二底层导电层通过一次构图工艺同时形成,且所述第一底层导电层与所述第二底层导电层是通过形成所述晶体管的源极、与源极相连的数据线和漏极时使用的掩膜板形成的;
与所述晶体管的栅极相连的栅线上形成有第三底层导电层,所述第三底层导电层覆盖所述栅线。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,
所述第二底层导电层还覆盖与所述晶体管的源极相连的数据线。
3.根据权利要求1或2所述的像素单元,其特征在于,所述金属层为金属银层。
4.根据权利要求1或2所述的像素单元,其特征在于,
所述金属层上形成有顶层导电层,所述顶层导电层覆盖所述金属层。
5.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板和在所述衬底基板上设置的至少一个如权利要求1-4任一项权利要求所述的像素单元。
6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求5所述的阵列基板。
7.一种像素单元的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成晶体管;
在所述晶体管的漏极上形成第一底层导电层,所述第一底层导电层覆盖所述漏极的整个顶面及各个侧面;
在所述晶体管和所述第一底层导电层上形成平坦层,在所述平坦层上形成过孔;
在所述平坦层上形成金属层,所述金属层通过所述过孔与所述第一底层导电层电连接;
在所述晶体管的源极与所述平坦层之间形成第二底层导电层,所述第二底层导电层覆盖所述晶体管的源极的整个顶面及各个侧面;
所述第一底层导电层与所述第二底层导电层通过一次构图工艺同时形成,且所述第一底层导电层与所述第二底层导电层是通过形成所述晶体管的源极、与源极相连的数据线和漏极时使用的掩膜板形成的;
形成第三底层导电层,所述第三底层导电层与所述第一底层导电层通过所述一次构图工艺形成,所述第三底层导电层覆盖与所述晶体管的栅极相连的栅线。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述在所述晶体管的漏极上形成第一底层导电层,包括:
在所述晶体管上形成导电层;
对所述导电层通过一次构图工艺在所述晶体管的漏极上形成第一底层导电层。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第二底层导电层还覆盖与所述晶体管的源极相连的数据线。
10.根据权利要求7-9任一项权利要求所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述金属层上形成顶层导电层,所述顶层导电层覆盖所述金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610323593.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示装置及其制备方法
- 下一篇:与闪速存储器集成的梳形电容器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的