[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法有效
申请号: | 201610323887.7 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105762172B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 赵卫杰;董学;薛海林;陈小川;王海生;刘英明;杨盛际;丁小梁;李昌峰;王鹏鹏;刘伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 驱动 | ||
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法,涉及显示技术领域,可以将内嵌式触控技术与AMOLED显示技术结合。该阵列基板,包括多个子像素,每个子像素均设置有显示元件,至少一个子像素构成一个重复单元,位于重复单元中的其中一个子像素还设置有热敏组件;所述热敏组件与控制信号线和读取信号线相连,用于在所述控制信号线的控制下,将热电转换后的电流信号输出至所述读取信号线,以根据所述控制信号线和所述读取信号线确定触控位置。用于触控显示装置。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法。
背景技术
目前,OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置,由于具有自发光、宽视角、响应速度快、可柔化等特点而受到广泛关注。
其中,AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体面板)是通过TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)驱动OLED发光。
近年来,很多公司也将in cell touch(内嵌式触控)技术开发列为公司技术研究的主要方向,而内嵌式触控技术与AMOLED显示技术结合,则越来越受到面板厂家的青睐。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法,可以将内嵌式触控技术与AMOLED显示技术结合。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括多个子像素,每个子像素均设置有显示元件,至少一个子像素构成一个重复单元,位于重复单元中的其中一个子像素还设置有热敏组件;所述热敏组件与控制信号线和读取信号线相连,用于在所述控制信号线的控制下,将热电转换后的电流信号输出至所述读取信号线,以根据所述控制信号线和所述读取信号线确定触控位置。
优选的,所述热敏组件包括第一电极、第二电极及第一晶体管;所述第一晶体管的栅极与控制信号线相连,第一极与所述读取信号线相连,第二极与所述第二电极的一端相连;所述第二电极的另一端与所述第一电极相连;其中,所述第一电极和所述第二电极的材料不同。
优选的,所述显示元件包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容和发光器件。
所述第二晶体管的栅极与扫描控制线控制线相连,第一极与数据线相连,第二极与第三晶体管的第一极相连。
所述第四晶体管的栅极与发光控制线相连,第一极与第一电压端相连,第二极与所述第三晶体管的第一极相连。
所述第五晶体管的栅极与复位控制线相连,第一极与第二电压端相连,第二极与所述第三晶体管的栅极相连。
所述第六晶体管的栅极与所述扫描控制线相连,第一极与所述第三晶体管的栅极相连,第二极与所述第三晶体管的第二极相连。
所述第七晶体管的栅极与所述发光控制线相连,第一极与所述第三晶体管的第二极相连,第二极与所述发光器件的阳极相连。
所述发光器件的阴极与第三电压端相连。
所述存储电容的一端与所述第三晶体管的栅极相连,另一端与所述第一电压端相连。
进一步优选的,所述控制信号线为所述扫描控制线或所述复位控制线。
进一步优选的,在所述热敏组件包括第一电极、第二电极及第一晶体管的情况下,所述第一电极与所述阴极同层设置。
优选的,一个重复单元为一个像素单元。
第二方面,提供一种显示面板,包括上述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的