[发明专利]倒装LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610325068.6 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105789402B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;林素慧;何安和;刘小亮 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 制作方法 | ||
1.倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；
S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；
S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行干法蚀刻处理，蚀刻时间为10~30s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；
S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述干法蚀刻采用的蚀刻流体为CF4、 SF6或二者组合。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：ICP功率为100~200W，气体流量为100~500 mL/min。
4.倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；
S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；
S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行湿法蚀刻处理，蚀刻时间为15~60s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；
S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述湿法蚀刻采用的蚀刻流体包括NH4F、HF 蚀刻液。
6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述NH4F、HF 蚀刻液中NH4F为24~32份、HF为6~8份。
7.根据权利要求1或4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金属反射层材料为Ag、Al、Rh或以上材料任意组合。
8.根据权利要求1或4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述ITO膜层的厚度为20~60nm。
9.根据权利要求1或4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金属反射层的厚度为100~800nm。
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