[发明专利]一种热板加热装置及控制方法有效
| 申请号： | 201610325732.7 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105895524B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈柏宇;陈巍;何茂盛;刘庆;范鹏飞 | 申请（专利权）人： | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;G03F7/16;G03F7/26;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热装置 加热腔室 顶壁 底壁 热板 基板支撑面 基板支撑 挥发 腔体 加热 体内 产品良率 二次污染 基板放置 加热效果 温度均匀 对基板 加热腔 基板 上光 自洁 垂直 凝结 室内 保证 | ||
【说明书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
