[发明专利]应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法有效
| 申请号： | 201610327208.3 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107393823B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 石金成;马万里;高振杰;李杰英;崔永军 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28;H01L21/76;H01L21/266;H01L21/308;H01L21/316;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 高频 三极管 型侧墙 制作方法 | ||
1.一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法，其特征在于，包括：
在N型外延层上形成Ploy层，在所述Ploy层上进行P+注入形成P+Ploy层，在所述P+Ploy层上形成第一LP TEOS层；
依次对第一LP TEOS层和P+Ploy层进行刻蚀；
在所述N型外延层上且在所述P+Ploy层侧面形成氧化层，同时在所述N型外延层进行P+扩散形成P+扩散层；
在所述N型外延层内且在所述氧化层下进行基区注入以形成基区层；
在所述氧化层和所述第一LP TEOS层上形成LP SIN层；
在所述LP SIN层上形成第二LP TEOS层；
对所述第二LP TEOS层各向异性回刻，形成SiO2侧墙；同时刻蚀所述LP SIN层总厚度的15%-20%；
对所述LP SIN层中部区域不完全湿法腐蚀；
对所述SiO2侧墙完全湿法腐蚀；
对中部区域剩余的LP SIN层完全湿法腐蚀；
对所述中部区域对应的氧化层完全湿法腐蚀。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述N型外延层上且在所述P+Ploy层侧面形成氧化层的氧化条件为：氧化温度在1000℃-1100℃之间，氧化层厚度在30埃-300埃之间。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述LP SIN层的厚度在400埃-1500埃之间。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二LP TEOS层的厚度在2000埃-6000埃之间。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述LP SIN层中部区域不完全湿法腐蚀，具体为：在温度在160℃-180℃下，刻蚀所述LP SIN层总厚度的50%-60%。
6.根据权利要求1或5所述的制作方法，其特征在于，对LP SIN层的完全湿法腐蚀和不完全湿法腐蚀均使用浓磷酸进行湿法腐蚀。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，对所述SiO2侧墙采用BOE或HF进行完全湿法腐蚀。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，对所述中部区域对应的氧化层采用HF进行完全湿法腐蚀。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，HF与水的比例控制在1：10-1:100之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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