[发明专利]二维角分布质子谱仪有效
申请号: | 201610329467.X | 申请日: | 2016-05-17 |
公开(公告)号: | CN105826158B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 杨骕;远晓辉;方远;葛绪雷;魏文青;邓彦卿;高健;刘峰;盛政明;张杰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01J49/26 | 分类号: | H01J49/26 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二维 角分布 质子 | ||
1.一种二维角分布质子谱仪,包括依次设置的质子筛选装置、电磁场装置以及质子探测装置,其特征在于,质子筛选装置包括二维点阵结构的入射孔阵列;
入射孔阵列绕圆心旋转一定角度,使每个入射孔的不同谱线错开。
2.根据权利要求1所述的二维角分布质子谱仪,其特征在于,电磁场装置包括平行磁铁,平行磁铁所产生磁场的磁场方向与入射孔阵列的法向方向相互垂直。
3.根据权利要求2所述的二维角分布质子谱仪,其特征在于,入射质子从所述入射孔阵列进入所述磁场后,在磁场的作用下发生偏转,由质子探测装置探测质子并测得质子的能谱和二维空间分布信息。
4.根据权利要求1所述的二维角分布质子谱仪,其特征在于,在质子筛选装置与质子探测装置之间不施加电场。
5.根据权利要求2所述的二维角分布质子谱仪,其特征在于,入射孔阵列绕圆心旋转的角度θ为15°,其中,所述角度θ是x方向与入射孔阵列的行方向或者列方向之间的夹角,x方向为磁铁N极指向S极方向。
6.根据权利要求1所述的二维角分布质子谱仪,其特征在于,入射孔阵列中入射孔直径为0.25mm,两个相邻的入射孔间距为2mm,总共包含11行*11列个入射孔。
7.根据权利要求2所述的二维角分布质子谱仪,其特征在于,平行磁铁之间的间隙为40mm,所述磁场中心处的磁感应强度为0.26特斯拉,所述入射孔阵列与金属靶上打靶点的距离为60mm,平行磁铁的延伸距离为50mm。
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