[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
申请号: | 201610330569.3 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN105977359B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 卡尔·恩格尔;马库斯·毛特;斯特法尼·格拉梅尔斯贝格尔;安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610330569.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。