[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有目标材料层；

在所述目标材料层上形成通过开口相互隔离的若干个条状的核图案，所述核图案的材料为底部抗反射涂层材料，以及在所述核图案的侧壁上形成间隙壁，分别位于相邻核图案侧壁的相邻间隙壁之间相互分立，且所述间隙壁暴露出核图案的顶表面；

形成覆盖所述间隙壁、所述核图案和所述目标材料层的牺牲层，所述牺牲层的顶面高于所述间隙壁的顶面；

依次循环执行第一回蚀刻步骤和第二回蚀刻步骤若干次，其中，

所述第一回蚀刻步骤蚀刻去除部分所述牺牲层，使剩余的所述牺牲层的顶面高于所述目标材料层的顶面低于所述间隙壁的顶面，

第二回蚀刻步骤蚀刻去除部分所述间隙壁，使剩余的所述间隙壁的顶面高于所述目标材料层的顶面低于剩余的所述牺牲层的顶面；

去除剩余的所述牺牲层和剩余的所述核图案；

以剩余的所述间隙壁为掩膜，蚀刻所述目标材料层，以形成位于所述目标材料层中的若干沟槽。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述若干次大于等于2。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层包括旋涂碳。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用基于O₂、CO₂、CO、N₂、H₂或其组合的等离子体进行所述第一回蚀刻步骤。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用C_xF_y作为蚀刻剂的干法等离子体蚀刻工艺实现对所述间隙壁的第二回蚀刻步骤。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述核图案之前，还包括在所述目标材料层的表面上形成金属硬掩膜层的步骤。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述核图案和所述间隙壁的步骤包括：

在所述目标材料层上依次形成底部抗反射涂层和低温氧化物层；

在所述低温氧化物层上形成间隔排列的若干个条状的核光刻胶层；

以所述核光刻胶层为掩膜，依次蚀刻所述低温氧化物层和所述底部抗反射涂层，以形成通过开口相互隔离的若干个核图案，并去除所述核光刻胶层；

在所述核图案的表面上和所述目标材料层暴露的表面上沉积形成间隙壁材料层；

蚀刻所述间隙壁材料层，以形成位于每个所述核图案侧壁上的间隙壁。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述目标材料层为层间介电层。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述间隙壁的材料包括氧化物、氮化物或其组合。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，使用原子层沉积法沉积形成所述间隙壁材料层。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在执行所述第一回蚀刻步骤时还同时蚀刻去除部分所述核图案。