[发明专利]一种晶圆的精抛光方法

权利要求书

1.一种晶圆的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：对晶圆进行双面抛光；

S2：对所述晶圆进行清洗；

S3：对所述晶圆正面进行精抛光；所述精抛光包括第一阶段、第二阶段及第三阶段；其中，第一阶段的硅抛光速率大于第二阶段、第三阶段的硅抛光速率。

2.根据权利要求1或所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一阶段采用第一抛光垫及第一抛光液；所述第二阶段采用第二抛光垫及第二抛光液；所述第三阶段采用第三抛光垫及第三抛光液。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一阶段的硅抛光速率至少为所述第二阶段及第三阶段的硅抛光速率的3倍。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一阶段的硅抛光速率为0.2～0.7μm/min；所述第二阶段的硅抛光速率为0.01～0.05μm/min；所述第三阶段的硅抛光速率为0.01～0.03μm/min。

5.根据权利要求2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一抛光垫采用粗抛光垫，所述第二抛光垫及第三抛光垫采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液；其中，所述粗抛光垫的粗糙度、硬度分别大于所述精抛光垫的粗糙度、硬度。

6.根据权利要求5所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述粗抛光垫采用聚氨酯抛光垫；所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。

7.根据权利要求5所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述粗抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。

8.根据权利要求2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一抛光垫、第二抛光垫及第三抛光垫均采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液。

9.根据权利要求8所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。

10.根据权利要求8所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述粗抛光液中包含氧化铈磨料；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。