[发明专利]有机发光二极管显示基板及其制备方法、柔性显示装置有效
申请号: | 201610331524.8 | 申请日: | 2016-05-18 |
公开(公告)号: | CN105762173B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 王涛;蔡宝鸣;谭纪风 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 及其 制备 方法 柔性 显示装置 | ||
本发明提供一种有机发光二极管显示基板及其制备方法、柔性显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的圆偏光片厚度大,弯曲性能不好,无法用于柔性显示的问题。本发明的有机发光二极管显示基板中,偏光层直接固化形成于多个间隔设置的有机发光二极管以及有机发光二极管之间的间隔区上,因此偏光层的弯曲性可以与显示基板相适应。且采用本发明的方法直接固化形成的偏光层厚度低,相当于降低了有机发光二极管显示基板的整体厚度。本发明的有机发光二极管显示基板适用于各种显示装置,尤其适于柔性显示显示装置。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机发光二极管显示基板及其制备方法、柔性显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)显示面板具有主动发光、高对比度、无视角限制等诸多优点,尤其是柔性OLED显示面板,其优势更明显。柔性OLED显示面板不仅体积更加轻薄,功耗也较低,同时基于其可弯曲、柔韧性佳的特性,其耐用程度也大大高于其他显示器件。因此,柔性OLED显示面板现已被广泛应用于显示技术领域,将成为今后显示器消费的主流。
OLED通常包括阳极和阴极,以及位于阳极和阴极之间的发光功能层,其中阴极材料多选择具有一定透过率的镁银合金,通过真空蒸镀沉积到显示区内。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:由于阴极材料本身为金属,具有反射性,顶发光型OLED在使用时,环境光容易照射到阴极上产生强烈的反射光,会影响OLED显示的对比度,故而OLED显示面板需要在阴极的出光侧贴合圆偏光片,以消除外界的反射光。圆偏光片一般包括线偏光片和四分之一相位差片,目前商用的线偏光片多由一层聚乙烯醇、两层保护层和压敏胶组成,这种线偏光片厚度较厚,一般在150um-250um之间,且其弯曲性能不足,无法用于柔性OLED。
发明内容
本发明针对现有的圆偏光片厚度大,弯曲性能不好,无法用于柔性显示的问题,提供一种有机发光二极管显示基板及其制备方法、柔性显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是:
一种有机发光二极管显示基板,包括多个间隔设置的有机发光二极管,以及所述有机发光二极管之间的间隔区,其中,所述有机发光二极管和所述间隔区上设有直接固化形成的偏光层。
优选的是,所述偏光层包括相位延迟膜和线偏光膜,所述相位延迟膜由相位延迟材料直接在所述有机发光二极管和所述间隔区上固化形成。
优选的是,所述有机发光二极管为顶发光型,有机发光二极管包括发光单元和封装层,所述相位延迟材料直接固化形成于所述的封装层上。
优选的是,所述偏光层的厚度小于60μm,所述相位延迟膜的厚度小于10μm。
本发明还提供一种有机发光二极管显示基板的制备方法,包括直接在有机发光二极管和所述有机发光二极管之间的间隔区上固化形成的偏光层的步骤。
优选的是,所述直接固化形成偏光层的步骤包括形成相位延迟膜的步骤和形成线偏光膜的步骤;其中,所述相位延迟材料直接固化形成于有机发光二极管和所述有机发光二极管之间的间隔区上。
优选的是,所述形成相位延迟膜的步骤包括:
在有机发光二极管和所述有机发光二极管之间的间隔区上涂覆相位延迟材料,将所述相位延迟材料固化形成相位延迟膜。
优选的是,所述相位延迟材料的固化温度为50-180℃,固化时间为5-180min。
优选的是,所述相位延迟材料包括:液晶、可聚合单体、引发剂。
优选的是,所述相位延迟材料中液晶、可聚合单体、引发剂的质量比为50-80:0.05-5:0.5-3。
优选的是,所述形成线偏光膜的步骤包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的