[发明专利]采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法

权利要求书

1.一种采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于包括：

在封闭的石英管内，一端放入Ga₂O₃粉末作为源；另一端作为生长区，放入生长Ga₂O₃的籽晶；

控制源区与生长区的温度分布来实现源区至生长区的气相传输，生长Ga₂O₃单晶。

2.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，生长过程中在所述源中放入的碳粉。

3.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，所述籽晶直径与所述石英管的内径相同，使所述Ga₂O₃籽晶能放置在所述石英管内。

4.根据权利要求1或2所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，所述石英管内位于源区放置有石英舟，以盛放所述源。

5.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，封闭石英管的具体步骤为：使用一端为平面封口的石英管作为外管，籽晶放置在外管的平面端，再选用一个外径与籽晶片直径相同的石英通管作为内管，用来顶住籽晶片，放置一个直径小于内管内径的用来盛放所述源的石英舟于内管中，放置位置与籽晶位置相对，随后外管连接真空系统，抽真空后用石英封泡封管。

6.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，所述籽晶为蓝宝石衬底基片或氧化镓单晶片、GaN单晶片、ZnO单晶片或者A1N单晶片。

7.根据权利要求2所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，放入的碳与氧化镓的重量比为1∶100-1∶50。

8.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，气相传输时，源区的温度是1050-1200℃，生长区的温度是950-1100℃，温度梯度是2-4℃/cm。

9.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，气相传输进行生长的时间为70-100小时。

10.根据权利要求1所述的采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法，其特征在于，所述籽晶的直径是25.4毫米-76.2毫米。