[发明专利]用于串行闪存的写操作的方法和串行闪存

说明书

本发明提供一种用于串行闪存的写操作的方法和串行闪存，所述方法包括：基于一次传送的写指令、待写地址和待写数据进行多次写操作。本发明所提供的用于串行闪存的写操作的方法和串行闪存能够一次准备好待写指令、待写地址和待写数据用于多次写操作，无需每次写操作准备一次，从而节省准备地址和数据的时间，实现快速写操作。

技术领域

本发明涉及串行存储器技术领域，具体而言涉及一种用于串行闪存的写操作的方法和串行闪存。

背景技术

目前，以闪存存储器(flash memory)为主流的非易失性存储芯片在嵌入式系统中是必不可少的一部分，闪存承担着存储嵌入式系统软件和用户数据的重要使命。非易失性的闪存芯片保证了软件和用户数据在掉电后能够长期稳定不变。相比于磁盘，闪存有读写性能高、防震、功耗低、封装体积小巧等优点。闪存以其丰富种类和较低的成本在几乎所有的嵌入式系统中都是非易失性存储方案的最佳选择。

基于性能需求，闪存具有不同的结构，例如使用或非结构的闪存(NORflash)和使用与非结构的闪存(NANDflash)。其中，在NORflash系列闪存中，通常有并口和串口两种接口。其中，串口闪存时序简单，节省引脚。串口闪存遵循串行外围接口(SPI)协议，基于SPI控制器而操作。对于串行闪存来说，其每个写操作均需要控制器传送一次指令代码、地址和数据，多个写操作就需要多次传送指令代码、地址和数据，这样非常浪费时间。

发明内容

针对现有技术的不足，一方面，本发明提供一种用于串行闪存的写操作的方法，所述方法包括：基于一次传送的写指令、待写地址和待写数据进行多次写操作。

在本发明的一个实施例中，所述待写地址和/或所述待写数据在所述多次写操作中随着写操作的次数而自动变化。

在本发明的一个实施例中，所述待写地址的值在所述多次写操作中随着写操作的次数自动增加预定值。

在本发明的一个实施例中，所述待写地址的值在所述多次写操作中随着写操作的次数奇数或偶数地递增。

在本发明的一个实施例中，所述待写数据的值在所述多次写操作中随着写操作的次数自动增加预定值。

在本发明的一个实施例中，所述待写数据在所述多次写操作中保持不变。

在本发明的一个实施例中，所述一次传送的待写地址和待写数据用于所述多次写操作中的第一次写操作，所述第一次写操作之后的写操作中所使用的待写地址和待写数据基于所述一次传送的待写地址和待写数据而产生、并通过所述一次传送的写指令进行管理。

另一方面，本发明还提供一种串行闪存，所述串行闪存基于一次传送的写指令、待写地址和待写数据进行多次写操作。

在本发明的一个实施例中，所述待写地址和/或所述待写数据在所述多次写操作中随着写操作的次数而自动变化。

在本发明的一个实施例中，所述一次传送的待写地址和待写数据用于所述多次写操作中的第一次写操作，所述第一次写操作之后的写操作中所使用的待写地址和待写数据基于所述一次传送的待写地址和待写数据而产生、并通过所述一次传送的写指令进行管理。

本发明所提供的用于串行闪存的写操作的方法和串行闪存能够一次准备好待写指令、待写地址和待写数据用于多次写操作，无需每次写操作准备一次，从而节省准备地址和数据的时间，实现快速写操作。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出了现有的用于串行闪存的写操作的时序波形图；

图2示出了根据本发明实施例的用于串行闪存的写操作的时序波形图；