[发明专利]阵列基板、显示装置以及充电控制方法有效
申请号: | 201610341888.4 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN105761703B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 李鹏涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素单元 组控制 相邻两行 阵列基板 闭合 充电控制 开关连接 控制信号 显示装置 液晶显示器 电压极性 矩阵排列 控制连接 栅线开启 控制线 时间段 存储 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示装置以及充电控制方法,属于液晶显示器领域。所述阵列基板包括按矩阵排列的像素单元,阵列基板还包括:多组控制开关,每组控制开关包括多个控制开关,每组控制开关连接相邻两行像素单元,且每组控制开关中的每个控制开关连接分别处于相邻两行像素单元中的两个像素单元,且每个控制开关连接的两个像素单元所存储的电压极性相反,每个像素单元只与一个控制开关相连;若干控制线,用于在控制信号的作用下,控制控制开关的打开或闭合,控制信号用于在每一帧中,在每组控制开关连接的相邻两行像素单元的栅线开启前的设定时间段内,控制连接相邻两行像素单元的控制开关闭合。
技术领域
本发明涉及液晶显示器(英文Liquid Crystal Display,简称LCD)领域,特别涉及一种阵列基板、显示装置以及充电控制方法。
背景技术
薄膜晶体管(英文Thin Film Transistor,简称TFT)LCD因其性能优良、大规模生产特性好、发展空间广阔等优点,成为目前显示器领域的主流产品。
TFT LCD工作过程中,为了避免液晶材料产生极化而造成永久性的破坏,通常需要每隔一预定时间,对施加在液晶电容和存储电容两端的电压信号的极性进行一次反转,因此需要对阵列基板上的像素单元进行极性反转驱动。常见的极性反转包括:帧反转、列反转、行反转和点反转四种。
下面以行反转为例来说明现有技术的问题:行反转是同一行上的像素单元所储存的电压极性相同,而上下相邻行上的像素单元所储存的电压极性相反。采用行反转方式驱动的TFT LCD在显示时,先逐行开启栅(Gate)线,然后由源(Source)芯片通过Source线给每行像素单元充电,在给每行像素单元充电时,将像素单元所储存的电压极性从一种极性变为另一种极性,例如在前一帧中将某一行像素单元从正电充电至负电,则在下一帧时将该行像素单元从负电充电至正电。这种充电方式,充电时间较长,对Source芯片的负担很大,功耗大;另外,由于Gate线和Source线上的阻抗较大,当电流比较大时,发热量大。
发明内容
为了解决现有技术中,对TFT LCD进行充电时,充电时间较长,对Source芯片的负担很大,功耗大,发热量大的问题,本发明实施例提供了一种阵列基板、显示装置以及充电控制方法。所述技术方案如下:
第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括按矩阵排列的像素单元,所述阵列基板还包括:
多组控制开关,每组控制开关包括多个控制开关,所述每组控制开关连接相邻两行像素单元,且所述每组控制开关中的每个控制开关连接分别处于所述相邻两行像素单元中的两个像素单元,且所述每个控制开关连接的两个像素单元所存储的电压极性相反,每个像素单元只与一个控制开关相连;
若干控制线,用于在控制信号的作用下,控制所述控制开关打开或闭合,所述控制信号用于在每一帧中,在所述每组控制开关连接的所述相邻两行像素单元的栅线开启前的设定时间段内,控制连接所述相邻两行像素单元的控制开关闭合。
在本发明实施例的一种实现方式中,所述控制开关为薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极连接所述控制线,所述薄膜晶体管的源极和漏极分别与处于所述相邻两行像素单元中的两个像素单元连接。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述控制线与所述栅线同层设置。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述控制开关与分别处于所述相邻两行像素单元中的两个像素单元的像素电极连接。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述若干控制线中的每根控制线分别与所述多组控制开关中的一组控制开关连接。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述控制线与所述栅线平行设置。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述阵列基板包括N行像素单元、N条栅线和N/2条控制线,N为大于0的偶数;
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