[发明专利]基于有限状态机控制的存储器读写方法和存储器装置

说明书

本发明提供一种基于有限状态机控制的存储器读写方法及存储器装置。所述有限状态机包括读状态、加载状态、擦除状态、写状态、放电状态。所述方法包括：在所述有限状态机进入所述加载状态之后，接收输出使能信号；所述输出使能信号触发所述有限状态机进入所述读状态，从而使得所述读状态和所述加载状态同时发生。基于有限状态机控制的存储器读写方法有效减小了存储器的读写操作时间而无需额外的外部读缓冲器。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体而言涉及一种基于有限状态机控制的存储器读写方法及存储器装置。

背景技术

存储器装置通常采用有限状态机来使其操作过程从一个状态转变至另一个状态。在每个状态转变到下一个状态之前利用计数器来生成所需要的延时。

在常规的存储器装置中，每个状态通常会占用较长的时间(一般在数微秒到毫秒的量级)。并且，在每个指定状态上只能有一个状态存在，因此使得在等待周期期间不可避免会造成时间浪费。

常规上，为了节约时间，需要在SoC(片上系统)级上进行仔细设计以允许多任务功能。通过片上级设计，数据通常会被首先读出并存储在外部的缓冲器上(一般情况使用SRAM)。在外部缓冲器上存储的数据在存储器装置的其他操作状态期间可以进行读取。然而，使用外部缓冲器将占用大量的芯片空间，并最终导致存储器产品在生产上的一种资源浪费。

因此，有必要提出一种基于有限状态机控制的存储器读写方法和存储器装置，以解决现有的技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种基于有限状态机控制的存储器读写方法，所述有限状态机包括读状态、加载状态，所述方法包括：

在所述有限状态机进入所述加载状态之后，接收输出使能信号；

所述输出使能信号触发所述有限状态机进入所述读状态，从而使得所述读状态和所述加载状态同时发生。

示例性地，所述有限状态机还包括擦除状态、写状态，所述输出使能信号触发所述有限状态机在进入所述擦除状态或所述写状态之前进入所述读状态。

示例性地，所述方法进一步包括，接收写使能信号，当接收到所述写使能信号时所述有限状态机进入所述加载状态。

示例性地，所述有限状态机还包括写状态，所述方法进一步包括：

在所述加载状态时将数据加载到写缓冲器；

接收写开始信号，所述写开始信号触发所述有限状态机从所述加载状态进入所述写状态。

根据本发明的另一方面提供一种基于有限状态机控制的存储器装置，所述存储器装置包括存储器控制器，其中所述有限状态机在所述存储器控制器上实现，并且所述有限状态机包括读状态、加载状态，其特征在于，

所述存储器控制器包括输出使能端；

其中，在所述有限状态机进入所述加载状态之后，当在所述输出使能端接收到输出使能信号时，所述输出使能信号触发所述有限状态机进入所述读状态，从而使得所述读状态和所述加载状态同时发生。

示例性地，所述有限状态机还包括擦除状态、写状态，所述输出使能信号触发所述有限状态机在进入所述擦除状态或所述写状态之前进入所述读状态。

示例性地，所述存储器控制器进一步包括写使能端；

其中，当在所述写使能端接收到写使能信号时，所述写使能信号触发所述有限状态机进入所述加载状态。