[发明专利]铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法

权利要求书

1.一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料，其特征在于所述材料为铥镱掺杂四钼酸钆钡单晶，其化学式为BaYb_2xTm_2yGd_2(1-x-y)(MoO₄)₄，其中x＝0.01～0.1，y＝0.01～0.1。

2.一种根据权利要求1所述的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

按照化学式BaYb_2xTm_2yGd_2(1-x-y)(MoO₄)₄的摩尔原子比称量BaCO₃、Gd₂O₃、Yb₂O₃、MoO₃、Tm₂O₃作为原料，通过高温固相合成法，合成得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料，再通过单晶提拉法，得到单晶的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述高温固相合成法具体包括以下步骤：将所述原料混合研磨均匀，压片，高温处理，冷却至室温后，再次研磨，无需压片，二次高温处理，重复上述操作，经过多次高温处理后，得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述高温处理的加热程序均为：以100～800℃/h的升温速度升至700～850℃，保温3～24h，然后再以50～100℃/h升温至900～1050℃，保温24～48h恒温烧结，烧结后降温至室温，降温时间为15～30h。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述高温处理的加热程序均为：以100℃/h的升温速度升至800℃，保温8h，然后再以100℃/h升温至1000℃，保温32h恒温烧结，烧结后降温至50℃，降温时间为15h。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述单晶提拉法具体包括以下步骤：对合成得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料一次加热保温，再二次加热熔融，利用丘克拉斯基单晶提拉法，从上述熔融液中提拉单晶，得到单晶的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述一次加热保温指先加热至750～850℃，保温0.5～5h；所述加热速率为350～800℃/h。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述一次加热保温指先加热至750℃，保温0.5h；所述加热速率为350℃/h。

9.根据权利要求1所述的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料在激光学和光谱学领域中的应用。