[发明专利]双面电池的掺杂方法在审
| 申请号： | 201610349454.9 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107425091A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 何川;金光耀;王懿喆;洪俊华;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,王聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 电池 掺杂 方法 | ||
1.一种双面电池的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；
S2：通过CVD在该硅衬底的第一表面上形成含磷掺杂剂，通过CVD在该硅衬底的第二表面上形成含硼掺杂剂；
S3：在750℃-1000℃下热处理步骤S2所得的结构，以使得磷进入第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，硼进入第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层；
S4：去除残余的含磷掺杂剂和残留的含硼掺杂剂，对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。
2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4中还包括：去除热处理过程中形成的氧化层。
3.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4后利用回蚀试剂用于去除1nm-50nm的第二表面侧的硅层。
4.如权利要求3所述的掺杂方法，其特征在于，该回蚀试剂选自：氢氟酸和双氧水的混合物、氢氟酸和硝酸的混合物、氢氧化钾、TMAH、氨水和双氧水的混合物中的一种或多种。
5.如权利要求4所述的掺杂方法，其特征在于，该回蚀试剂为NH4OH和H2O2的混合物，其中NH4OH：H2O2＝1：1-5：1，该回蚀试剂的作用温度为70℃-80℃，反应时间5-30min。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，掺杂后第一表面侧的磷掺杂浓度为1E20-1E21/cm3。
7.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，掺杂后第二表面侧的硼掺杂浓度为1E19-1E21/cm3。
8.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该含磷掺杂剂为含磷的非晶硅、含磷的多晶硅、磷硅玻璃或五氧化二磷。
9.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该含硼掺杂剂为含硼的非晶硅、含硼的多晶硅或硼硅玻璃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
