[发明专利]一种半导体基片的流体动压抛光装置及其抛光方法

权利要求书

1.一种半导体基片的流体动压抛光装置，其特征在于：包括抛光盘、第一转轴、抛光液、第二转轴、工件盘和待抛光件，所述第一转轴和第二转轴相互平行，且所述第二转轴向第一转轴方向水平滑动，所述抛光盘固定安装于所述第一转轴上，所述工件盘和待抛光件设于所述抛光盘的上方，所述工件盘固定安装于所述第二转轴上，所述待抛光件固定安装于所述工件盘的下底面，且待抛光件的下底面与所述抛光盘的上表面相接触；所述抛光盘的上表面沿圆周方向设有多个楔形结构，所述抛光液覆盖于所述抛光盘的上表面上；

所述抛光液由重量百分比15～40％且平均粒径为1～50μm的羰基铁粉、重量百分比为2～20％且平均粒径为1～50μm的磨料、重量百分比为1～10的甘油或油酸稳定剂和重量百分比1～10％的防锈剂组成；所述抛光盘的下方设有磁性体。

2.根据权利要求1所述的一种半导体基片的流体动压抛光装置，其特征在于：所述抛光盘的上方设有喷管，所述抛光液通过喷管流到所述抛光盘的上表面上。

3.根据权利要求1所述的一种半导体基片的流体动压抛光装置，其特征在于：所述抛光液由重量百分比为2～20％且平均粒径为1～50μm的磨料、重量百分比为1～10的甘油或油酸稳定剂和重量百分比1～10％的防锈剂组成。

4.根据权利要求1所述的一种半导体基片的流体动压抛光装置，其特征在于：所述磁性体的端面磁场强度不小于2000Gs，所述磁性体设为多个，且磁极相互交错排列设置。

5.根据权利要求1至3任一所述的一种半导体基片的流体动压抛光装置，其特征在于：所述待抛光件粘贴到所述工件盘的下底面。

6.一种半导体基片的流体动压抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)将抛光盘固定在第一转轴上，并通过粘贴的方式将待抛光件固定到工件盘上，然后将工件盘安装到第二转轴上；

2)将待抛光件向下移动到与抛光盘上表面相接触的位置，启动第一转轴和第二转轴旋转，同时，第二转轴带动待抛光件向第一转轴的方向水平往复滑动，并且不断向抛光盘的上表面加入抛光液，直至抛光完成；

3)抛光完成后，停止向抛光盘的上表面加入抛光液，再依次停止第二转轴的转动和水平滑动，以及第一转轴的转动，最后向上升高待抛光件并取出；

所述步骤2)中，所述第一转轴的转速为每分钟60～180转，所述第二转轴的转速为每分钟1000至3000转，且第二转轴向第一转轴的方向水平移动速度为每分钟5～20米。

7.根据权利要求6所述的一种半导体基片的流体动压抛光方法，其特征在于：所述抛光液由重量百分比为2～20％且平均粒径为1～50μm的磨料、重量百分比为1～10的甘油或油酸稳定剂和重量百分比1～10％的防锈剂组成。

8.根据权利要求6所述的一种半导体基片的流体动压抛光方法，其特征在于：所述抛光液由重量百分比15～40％且平均粒径为1～50μm的羰基铁粉、重量百分比为2～20％且平均粒径为1～50μm的磨料、重量百分比为1～10的甘油或油酸稳定剂和重量百分比1～10％的防锈剂组成；所述抛光盘的下方设有磁性体。