[发明专利]晶圆抛光方法有效
| 申请号： | 201610353248.5 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107433517B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B39/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
1.一种晶圆抛光方法，包括膜厚测量步骤、移放晶圆步骤、预湿润及电化学抛光步骤和后续处理步骤，其特征在于：
膜厚测量步骤，对晶圆进行膜厚测量；
移放晶圆步骤，将晶圆移放至工艺位置；
预湿润及电化学抛光步骤，预湿润晶圆后对晶圆进行电化学抛光；
后续处理步骤，对晶圆进行后续处理；
所述晶圆根据其膜厚，预湿润及电化学抛光步骤被重复执行多次后才进入后续处理步骤。
2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述预湿润是将晶圆移动到喷头上方但不接触喷头，喷头喷射的抛光液接触到晶圆，晶圆保持低速旋转，同时平移晶圆，使喷头相对晶圆水平移动，进而使抛光液与晶圆接触点从晶圆中心移动到晶圆边缘。
3.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于，每次电化学抛光过程结束后，若需要再次对晶圆进行电化学抛光，则需要先对晶圆进行预湿润。
4.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述后续处理步骤包括干燥步骤、清洗步骤和卸载步骤。
5.根据权利要求4所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述干燥步骤中，高速旋转晶圆以甩干晶圆。
6.根据权利要求4所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述清洗步骤中，使用去离子水对晶圆进行清洗。
7.根据权利要求4所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述卸载步骤中，晶圆由所述工艺位置上撤下。
8.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于，所述膜厚测量步骤中，使用测量模块对晶圆的膜厚进行测量。
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