[发明专利]一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法在审
| 申请号： | 201610353673.4 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105806877A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘士全;王健军;严华鑫;徐睿 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G01N25/00 | 分类号： | G01N25/00 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 cmos 器件 长期 贮存 寿命 评价 试验 方法 | ||
【说明书】：
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