[发明专利]一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法

权利要求书

1.一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一电极和第二电极，以及位于所述高阻光增益半导体衬底之下并且与所述高阻光增益半导体衬底接触的第三电极，其中，所述第一电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述第二电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙并且辐照所述第一电极，所述第三电极在所述第一电极的下方。

2.根据权利要求1所述的光伏装置，还包括布置在所述高阻光增益半导体衬底之下的绝缘介质层，所述第三电极位于所述绝缘介质层之下并与所述绝缘介质层接触。

3.根据权利要求1或2所述的光伏装置，其中，所述第三电极在所述第一电极的正下方。

4.根据权利要求1或2所述的光伏装置，其中，所述高阻光增益半导体衬底为高阻有机半导体或高阻无机半导体。

5.根据权利要求1或2所述的光伏装置，其中，所述光源为紫外光源，所述高阻光增益半导体衬底为SiC；或者所述光源为可见光源，所述高阻光增益半导体衬底为GaP或GaAs。

6.根据前述权利要求1或2所述的光伏装置，其中，所述高阻光增益半导体衬底的厚度大于50nm。

7.根据权利要求2所述的光伏装置，其中，所述绝缘介质层为AlO₂、SiO₂或HfO₂。

8.根据权利要求1或2所述的光伏装置，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极为金属电极。

9.根据权利要求1或2所述的光伏装置，还包括第二电极之上的不透光涂覆层。

10.一种采用权利要求1-9中任一项所述的光伏装置产生光伏效应的方法。