[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述鳍部包括平行于鳍部延伸方向且相背的第一侧壁和第二侧壁；

形成位于所述鳍部顶部上的牺牲层；所述牺牲层覆盖所述鳍部顶部的整个表面；所述牺牲层的厚度为第一离子注入或第二离子注入深度的一半；

同时对所述鳍部的第一侧壁和顶部进行第一离子注入；

同时对所述鳍部的第二侧壁和顶部进行第二离子注入；

在进行第一离子注入之前，所述形成方法还包括：形成覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的修复层；所述牺牲层的厚度大于所述修复层的厚度。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤包括：所述牺牲层包括氧化硅层、锗硅层或锗层中的一层或多层。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度在1纳米到2纳米范围内。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成衬底和牺牲层的步骤包括：

提供基底；

在所述基底上依次形成牺牲材料层和掩膜层；

以所述掩膜层为掩模，刻蚀所述牺牲材料层和所述基底，形成所述牺牲层和所述鳍部；

去除所述掩膜层。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成掩膜层的步骤包括：采用多重图形化掩膜工艺形成图形化的掩膜层。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，所述掩膜层包括至少一层氮化硅层。

7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲材料层和所述掩膜层的步骤包括：通过化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或炉管的方式形成所述牺牲材料层和所述掩膜层。

8.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成方法在去除所述掩膜层后，进行第一离子注入和第二离子注入之前，所述形成方法还包括：去除部分厚度的牺牲层。

9.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述修复层在去除所述掩膜层之后形成。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成修复层的步骤包括：通过沉积或炉管的方式在所述第一侧壁和第二侧壁上形成所述修复层。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述修复层的厚度比所述牺牲层的厚度小1纳米到2纳米。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成衬底之后，在形成牺牲层之前，还包括：在相邻鳍部之间填充隔离层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入的步骤和所述第二离子注入的步骤包括：采用侧向离子注入工艺进行第一离子注入或第二离子注入，或者采用侧向离子注入工艺进行第一离子注入和第二离子注入。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入的步骤和所说第二离子注入的步骤包括：所述第一离子注入或所述第二离子注入的注入角度在30°到80°范围内；或者，所述第一离子注入和所述第二离子注入的注入角度在30°到80°范围内。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入和所述第二离子注入的步骤中，所述第一离子注入和所述第二离子注入的注入深度小于10nm。

16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在对所述鳍部进行第一离子注入和第二离子注入之后，所述形成方法还包括：去除所述牺牲层露出所述鳍部的顶部。