[发明专利]一种磁控溅射镀膜装置及方法、纳米颗粒的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610365340.3 申请日: 2016-05-26
公开(公告)号: CN105839065B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 向勇;闫宗楷;李光;费益;刘雯;彭志;徐子明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙)51238 代理人: 黎祖琴
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 镀膜 装置 方法 纳米 颗粒 制备
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射镀膜装置,其特征在于:包括同轴设置的圆筒状的磁钢装置、圆筒状的溅射阴极和圆筒状的靶材,圆筒状靶材设置在圆筒状溅射阴极内表面,磁钢装置设置在圆筒状溅射阴极外表面以在靶材内表面形成了一封闭磁场,基底设置在靶材轴心位置处,溅射阴极上加载电压产生电场,靶材在电场和磁场的作用下溅射产生的纳米颗粒沉积在基底上形成薄膜。

2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:所述磁钢装置包括多个环状的第一磁体和第二磁体,所述第一磁体和第二磁体同轴相间排列,且靠近轴心侧的磁极极性相反。

3.如权利要求2所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:在溅射过程中,所述靶材相对于溅射阴极移动。

4.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:基底设置在靶材轴心位置处。

5.如权利要求4所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:所述基底为线状,且可定向移动。

6.如权利要求1-5任一项所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:进一步包括监测机构和调速机构,监测机构监测影响溅射速度的参数,根据影响溅射速度的参数调节基底的移动速度。

7.如权利要求1-5任一项所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:进一步包括设置在靶材两端的上风端和下风端,下风端处设置有分散液装置,从上风端处进入磁控溅射镀膜装置内的气体带动靶材溅射的纳米颗粒定向移动至分散液装置中。

8.一种磁控溅射镀膜方法,其特征在于包括以下步骤:提供一圆筒状的靶材;在靶材内表面提供一封闭磁场;提供一在靶材径向方向上具有分量的电场;将基底放置在靶材轴心处进行镀膜,靶材在磁场和电场的作用下溅射产生的纳米颗粒沉积在基底上形成薄膜。

9.如权利要求8所述的磁控溅射镀膜方法,其特征在于:所述基底为线状,且可定向移动。

10.一种纳米颗粒的制备方法,其特征在于包括步骤:提供一圆筒状的靶材;在靶材内表面提供一封闭磁场;提供一在靶材径向方向上具有分量的电场;在圆筒状靶材一端设置一分散液装置;基底设置在靶材轴心位置处,靶材在电场和磁场的作用下发生溅射,靶材溅射的纳米颗粒部分沉积在基底上形成薄膜,未沉积在基底上的纳米颗粒落入分散液装置中。

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