[发明专利]一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法

权利要求书

1.一种锡酸锶基柔性透明导电电极，其特征在于：所述锡酸锶基柔性透明导电电极沉积在柔性透明基材衬底上，所述锡酸锶基柔性透明导电电极为SrSnO₃/Ag/SrSnO₃复合层状结构，由两层SrSnO₃薄膜层夹着Ag层组成；其中，

所述SrSnO₃薄膜层的厚度为30nm ～ 50nm；

所述Ag层的厚度为8nm ～ 11nm；

所述SrSnO₃薄膜层和所述Ag层是通过磁控溅射方式沉积在柔性透明基材衬底上；

所述柔性透明基材衬底为PC、PET或PEN。

2.一种锡酸锶基柔性透明导电电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

SrSnO₃薄膜层沉积：以SrSnO₃和Ag作为靶材装入磁控溅射腔体内，以柔性透明基材衬底为衬底，控制靶材与衬底的距离为80mm ～ 120mm，将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10^-3Pa以下，使用高纯氩气作为溅射气体溅射SrSnO₃靶材，溅射功率为20～100W，进行沉积得到SrSnO₃薄膜层；

Ag层沉积：SrSnO₃薄膜层沉积完成后，用氩气混合气作为溅射气体溅射Ag靶材，开始溅射Ag层，溅射功率20～40W，在SrSnO₃薄膜层沉积得到Ag层；

SrSnO₃薄膜层二次沉积：Ag层沉积完成后，将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10^-3Pa以下，使用高纯氩气作为溅射气体二次溅射SrSnO₃靶材，溅射功率为20～100W，进行二次沉积在Ag层表面沉积得到SrSnO₃薄膜层。

3.根据权利要求2所述的锡酸锶基柔性透明导电电极的制备方法，其特征在于：在所述SrSnO₃薄膜层沉积和所述SrSnO₃薄膜层二次沉积中溅射总气压0.5 Pa～3 Pa；在所述Ag层沉积过程中溅射气压为0.3 Pa～1.0 Pa。

4.根据权利要求3所述的锡酸锶基柔性透明导电电极的制备方法，其特征在于：作为靶材的SrSnO₃是采用如下方法制备的：按SrSnO₃对应元素的化学计量比称取SrCO₃和SnO₂粉体，研磨4h充分混合后在20MPa的压力下压制成型，最后放入电炉中烧制成作为靶材的SrSnO₃，所述电炉烧制的条件为逐步升温至1300 ℃保持10 h。