[发明专利]D类音频放大器以及对应的读取方法有效
申请号: | 201610366297.2 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106851474B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | E·博蒂;M·莱蒙迪 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00;H03F3/217;H03F3/185 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;潘聪 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 音频 放大器 以及 对应 读取 方法 | ||
1.一种D类音频放大器装置,包括电路(30;50),所述电路(30;50)用于读取由所述放大器装置向负载(15)供应的负载电流(ILOAD),所述放大器包括末级,所述末级包括H桥(11),所述H桥(11)包括第一半桥(12)和第二半桥(22),用于读取负载电流(ILOAD)的所述电路(30;50)被配置成用于通过在所述第一半桥(12)或所述第二半桥(22)的至少一个功率晶体管(13b,23b)的接通周期期间测量漏极-源极电压(VDSLP)读取由所述半桥(12,22)的至少一个半桥在输出处供应的电流(IOUTP,IOUTM)来估计所述负载电流(ILOAD),所述至少一个功率晶体管(13b,23b)包括低侧晶体管,所述放大器装置特征在于:
它包括传感电路(50),所述传感电路(50)包括用于检测来自所述第一半桥(12)的晶体管(13b)的第一漏极-源极电压(VSP)和来自所述第二半桥(22)的对应的晶体管(23b)的第二漏极-源极电压(VSM)的电路部分(52P,52M;62),
所述传感电路(50)包括:
用于计算由所述电路部分(52P,52M;62)检测的所述第一漏极-源极电压(VSP)和所述第二漏极-源极电压(VSM)之间的差异的模块(51);和
用于对所述差异执行求平均运算以获得待被供应到模拟-数字转换器(54)的传感电压值(VSENSE)的模块(53)。
2.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,用于计算所述第一漏极-源极电压(VSP)和所述第二漏极-源极电压(VSM)之间的所述差异的所述模块(51)是差分放大器。
3.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其特征在于,用于对所述差异执行求平均运算以获得传感电压值(VSENSE)的所述模块(53)是低通滤波器。
4.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其特征在于,用于检测来自所述第一半桥(12)的晶体管(13b)的第一漏极-源极电压(VSP)和来自所述第二半桥(22)的对应的晶体管(23b)的第二漏极-源极电压(VSM)的所述电路部分(52P,52M;62)包括:在所述第一半桥(12)和所述第二半桥(22)的所述晶体管的所述漏极节点和源极节点与用于计算检测的所述第一漏极-源极电压(VSP)和检测的所述第二漏极-源极电压(VSM)之间的所述差异的所述模块(51)的输入之间设定的相应的保护开关(52P,52M)。
5.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其特征在于,用于检测来自所述第一半桥(12)的晶体管(13b)的第一漏极-源极电压(VSM)和来自所述第二半桥(22)的对应的晶体管(23b)的第二漏极-源极电压(VSP)的所述电路部分(52P,52M;62)包括传感网络(62)和传感电阻(RSP),所述传感网络(62)包括辅助晶体管(64),所述辅助晶体管(64)的源极和漏极分别连接到所述第一半桥或所述第二半桥的相应的晶体管(13b,23b)的栅极和漏极;所述传感电阻(RSP)在所述辅助晶体管(64)的源极和对应的半桥(12,22)的接地(GNDP)之间。
6.根据权利要求5所述的放大器装置,其特征在于,所述传感电阻(RSP)的尺寸被设计成使得它的值比所述辅助晶体管(64)的接通电阻(RDSONAUXP)高很多,以使得所述辅助晶体管(64)的接通电阻(RDSONAUXP)和所述传感电阻(RSP)的总和大致等于所述传感电阻(RSP)。
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