[发明专利]数据存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201610369756.2 申请日: 2016-05-30
公开(公告)号: CN106816177B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 李载允;李炯珉;田明云 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 瞿卫军;王朋飞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储 装置 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种数据存储装置,其包括:

非易失性存储器装置,其包括目标存储器单元和与所述目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元,其中所述一个或多个调整存储器单元中的一个或多个是与所述目标存储器单元相邻的存储器单元,所述非易失性存储器装置适于从所述目标存储器单元和所述调整存储器单元中读出数据或将数据存储在所述目标存储器单元和所述调整存储器单元中;以及

控制器,其适于基于所述目标存储器单元和一个或多个相邻存储器单元的阈值电压调整所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,当所述目标存储器单元的阈值电压低于读取电压且所述一个或多个相邻存储器单元的阈值电压低于参考电压时,所述控制器提高所述调整存储器单元的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,当所述目标存储器单元的阈值电压高于读取电压时,所述控制器提高所述调整存储器单元的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,当所述目标存储器单元的阈值电压低于读取电压且所述一个或多个相邻存储器单元的阈值电压高于参考电压时,所述控制器降低所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,当对从所述目标存储器单元中读取的数据的错误校正操作失败时,所述控制器调整所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。

6.根据权利要求5所述的数据存储装置,其中,当第一数据表示第一存储器单元的阈值电压低于读取电压且第二数据表示第二存储器单元的阈值电压高于参考电压时,所述控制器存储第三数据,使得第三存储器单元的阈值电压低于第二电压。

7.根据权利要求6所述的数据存储装置,其中,所述控制器存储所述第三数据,以在所述第一存储器单元中抑制后向模式依赖,即BPD。

8.一种数据存储装置,其包括:

非易失性存储器装置,其包括第一存储器单元和与所述第一存储器单元共用位线的一个或多个第三存储器单元,所述一个或多个第三存储器单元中与所述第一存储器单元相邻的一个或多个存储器单元是一个或多个第二存储器单元,所述非易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中;以及

控制器,其适于基于从所述第一存储器单元读取的第一数据和从所述第二存储器单元读取的第二数据将第三数据存储到所述第三存储器单元中,以调整所述一个或多个第三存储器单元的阈值电压。

9.根据权利要求8所述的数据存储装置,其中,当所述第一数据表示所述第一存储器单元的阈值电压低于读取电压且所述第二数据表示所述第二存储器单元的阈值电压低于参考电压时,所述控制器存储所述第三数据使得所述第三存储器单元的阈值电压高于第一电压。

10.根据权利要求9所述的数据存储装置,其中,所述控制器存储所述第三数据,从而在所述第一存储器单元中引起后向模式依赖,即BPD。

11.根据权利要求8所述的数据存储装置,其中,当所述第一数据表示所述第一存储器单元的阈值电压高于读取电压时,所述控制器存储所述第三数据,使得所述第三存储器单元的阈值电压高于第一电压。

12.根据权利要求11所述的数据存储装置,其中,所述控制器存储所述第三数据,以在所述第一存储器单元中引起后向模式依赖,即BPD。

13.根据权利要求8所述的数据存储装置,其中,当对所述第一数据的错误校正操作失败时,所述控制器存储所述第三数据。

14.根据权利要求8所述的数据存储装置,其中,在存储所述第三数据之前,所述控制器复制所述第三存储器单元中存储的数据并擦除所述第三存储器单元。

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