[发明专利]一种共面波导宽阻带滤波器

说明书

本发明公开的一种共面波导宽阻带滤波器，由共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构与共面波导的缺陷结构嵌套而成。该结构是一种共面波导SIR与共面波导DGS的嵌套结构，可以产生多个邻近的谐振零点，因为该结构本质上还是一种SIR结构，具有SIR结构的优点，所以同样可以通过改变SIR结构传输线的特性阻抗之比来实现频率的变化，它十分适合于设计小型化宽阻带滤波器。本发明解决了当前设计宽阻带滤波器时，性能与体积之间存在的矛盾，其插损较小，频率选择性更好，而且体积较小，满足了滤波性能的同时也减小了体积。

技术领域

本发明涉及通信设备技术领域，具体涉及一种共面波导宽阻带滤波器。

背景技术

共面波导(CPW)结构在1969年由C.P.Wen提出来以后，用共面波导结构来实现微波滤波器也应运而生。共面波导是一种导体带与地平面同处于同一个平面上的结构，如图2所示，该结构包括有介质基片，敷设在介质基片上表面中间位置处的共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设了共面波导地共面波导地。该结构便于并联外接元件，易于构成混合集成电路，由于其具有与有源器件、无源器件连接十分方便等诸多优点，以及微波和毫米波集成电路特别是单片集成电路技术的飞速发展，近些年来，共面波导结构受到了越来越多学者的关注，利用该结构设计微波滤波器也变得更加广泛。

随着微波技术的发展，微波滤波器的设计已经比较成熟，如今人们在满足滤波器的通带性能要求时，已经更加注重宽阻带的实现。

目前，共面波导宽阻带滤波器通常采用如下两种结构之一：

一、采用阶跃阻抗谐振器(SIR)以及SIR的变形结构，如图3所示，该结构包括有图1所示的λg/4型的SIR单元结构和图2所示的共面波导结构，SIR结构一端与共面波导地相连接形成短路，另一端开路；

二、缺陷地结构(DGS)，如图4所示，该结构包括有图2的共面波导结构，在共面波导地上形成了两个对称的开口比较小的矩形缺陷地；

由于目前很多设计者都只是单一的利用DGS结构或SIR结构进行级联，级联个数为4、5个左右，一般级联次数越多，带来的插损会越大，故虽然获得了不错的宽阻带性能，但同时也带来了带通部分插损的增大以及器件体积的增大的缺点。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种共面波导宽阻带滤波器，解决了现有技术中存在的带通部分插损大、滤波器体积大的问题。

为达到上述目的，本发明实施例公开了：

一种共面波导宽阻带滤波器，包括共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，及嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中的至少一层共面波导的缺陷结构，

所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，包括共面波导结构及嵌套在共面波导结构中的λg/4型的SIR单元结构，

所述的共面波导结构，包括介质基片，在介质基片上表面中间位置处敷设有共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设有共面波导地，所述的共面波导信号线和共面波导地之间留有间隙，

所述的λg/4型的SIR单元结构，包括相连接的一根较粗的传输线和一根较细的传输线，所述的共面波导结构和λg/4型的SIR单元结构在嵌套成共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构时，所述的较细的传输线一端与所述的共面波导地连接形成短路，所述的较粗的传输线一端与共面波导地、共面波导信号线都不连接，形成开路，

所述的共面波导的缺陷结构，包括所述的共面波导结构，在所述的共面波导地上分别开有矩形的缺陷地，缺陷地朝向共面波导信号线一侧，通过一开口与共面波导信号线和共面波导地之间的间隙相连通，